[发明专利]氧化钨阻变存储器的制造方法

权利要求书

1.氧化钨阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)制作钨通孔；

2)干法刻蚀掉钨通孔顶部侧壁的钛层和钛氮化合物阻挡层；

3)用有机酸清洗掉干法刻蚀后残留的聚合物；

4)高温热氧化处理，在钨通孔顶部形成氧化钨；

5)通过光刻和干法刻蚀，形成氧化钨阻变存储单元；

6)淀积金属，通过光刻和干法刻蚀，形成顶层金属布线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述钛层和钛氮化合物阻挡层的去除量为300埃米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，干法刻蚀条件为：采用以氯气和三氯化硼气体为主的刻蚀气体，压力5～20毫托，上部电极功率500～1500W，下部电极功率100～200W。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2)，钛和钛氮化合物对钨的刻蚀选择比在100以上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，高温热氧化处理的温度为400～800摄氏度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤4)，所述氧化钨的厚度为200～2000埃米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)，干法刻蚀条件为：采用以六氟化硫、氩气和氧气为主的刻蚀气体，压力5～10毫托，上部电极功率300～1000W，下部电极功率10～200W。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤5)，氧化钨对钨的刻蚀选择比为4。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)，干法刻蚀条件为：采用以氯气、氯化硼和三氟甲烷为主的刻蚀气体，压力5～10毫托，上部电极功率700～1000W，下部电极功率70～200W。