[发明专利]一种局部单原子层厚度石墨烯的制备方法无效
申请号: | 201110423219.9 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN102492926A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 徐涛;尹奎波;孙立涛;徐峰;贺龙兵;谢骁 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 冯慧 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 局部 原子 厚度 石墨 制备 方法 | ||
1.一种局部单原子层石墨烯薄膜的加工方法,其特征在于,具体步骤为:
第一步,将多层石墨烯薄膜置于载体台上使待加工部分悬空,然后将载体台放置于透射电子显微镜中;
第二步,将多层石墨烯薄膜温度升高到300-1300℃,利用电流密度大于1×102A/cm2的会聚高能电子束辐照待加工部分的多层石墨烯薄膜表面,并持续1-60分钟,使得待加工部分的多层石墨烯薄膜的表层碳原子不断被轰击溅射,逐层剥离最终形成少数层甚至单层且高结晶性的石墨烯。
2.如权利要求1所述的局部单原子层石墨烯薄膜的加工方法,其特征在于,所述的载体台的表面为Cu、Mo或SiN网格。
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