[发明专利]n-i-n型电光调制器有效
| 申请号： | 201110424539.6 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102520531A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 孙长征;郭丽丽;熊兵;罗毅;赵湘楠 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光 调制器 | ||
1.一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，其特征在于，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3，禁带宽度满足Eg1＞Eg3＞Eg2的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。
2.如权利要求1所述的n-i-n型电光调制器，其特征在于，所述衬底为InP材料，所述有源层和上、下导波层的材料均与所述衬底的材料晶格匹配，且上、下限制层为N型InP材料。
3.如权利要求2所述的n-i-n型电光调制器，其特征在于，所述有源层为InAlAs体材料，上、下导波层为InGaAsP材料。
4.如权利要求1所述的n-i-n型电光调制器，其特征在于，所述有源层为N型掺杂的多量子阱结构，所述多量子阱结构的势阱层的禁带宽度为Eg4，所述多量子阱结构的势垒层的禁带宽度为Eg5，所述多量子阱结构的等效折射率为n6，禁带宽度满足Eg5＞Eg3＞Eg2＞Eg4的关系，折射率满足n2＞n6＞n3的关系。
5.如权利要求4所述的n-i-n型电光调制器，其特征在于，所述衬底为InP材料，所述有源层和上、下导波层的材料均与所述衬底的材料晶格匹配，且上、下限制层为N型InP材料。
6.如权利要求5所述的n-i-n型电光调制器，其特征在于，所述有源层为InGaAsP/InAlAs多量子阱结构，上、下导波层为InGaAsP材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110424539.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
