[发明专利]一种扩展EML TOSA核心温度工作范围的方法

权利要求书

1.一种扩展EML TOSA核心温度工作范围的方法，其特征在于，所述方法为：将TOSA核心温度分成多个区间，在每个区间设置不同的EAM偏置电压，在TOSA核心温度较低区间，EAM偏置电压低，在TOSA核心温度较高区间，EAM偏置电压高，EAM偏置电压与TOSA核心温度成正变关系。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TOSA核心温度范围为10℃-65℃，核心温度分成两个区间：10℃-Ta℃，Ta℃-65℃，其中10＜Ta＜65；TOSA核心温度在Ta℃时，EAM偏置电压设定为UaV，其中-1.2＜Ua＜-0.7；TOSA核心温度在10℃-Ta℃时，EAM偏置电压从-1.2V到UaV线性变化；TOSA核心温度在Ta℃-65℃时，EAM偏置电压从UaV到-0.3V线性变化。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Ta℃为35℃，所述UaV为-0.7V。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述EAM偏置电压通过微控制器上的数模转化输出端控制。

5.一种扩展EML TOSA核心温度工作范围的方法，其特征在于，包括：

检测光收发模块的当前模块工作温度；

根据预设的模块温度与TOSA核心温度的对应关系，设定当前模块工作温度对应的TOSA核心温度；

根据设定的TOSA核心温度，按预设的TOSA核心温度与EAM偏置电压的对应关系，对EAM偏置电压进行补偿，以扩展EML TOSA核心温度工作范围。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设的TOSA核心温度与EAM偏置电压的对应关系为：

将TOSA核心温度分成多个区间，在每个区间设置不同的EAM偏置电压，在TOSA核心温度较低区间，EAM偏置电压低，在TOSA核心温度较高区间，EAM偏置电压高，EAM偏置电压与TOSA核心温度成正变关系。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述TOSA核心温度范围为10℃-65℃，核心温度分成两个区间：10℃-Ta℃，Ta℃-65℃，其中10＜Ta＜65；TOSA核心温度在Ta℃时，EAM偏置电压设定为UaV，其中-1.2＜Ua＜-0.7；TOSA核心温度在10℃-Ta℃时，EAM偏置电压从-1.2V到UaV线性变化；TOSA核心温度在Ta℃-65℃时，EAM偏置电压从UaV到-0.3V线性变化。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述Ta℃为35℃，所述UaV为-0.7V。

9.如权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设的模块工作温度与TOSA核心温度的对应关系为：

模块工作温度分成五个区间：低于-40℃、-40℃-Tb℃、Tb℃-Tc℃和Tc℃-85℃、高于85℃，其中-40＜Tb＜Tc＜85；模块工作温度在低于-40℃时，TOSA核心温度为10℃；模块工作温度在-40℃-Tb℃时，TOSA核心温度从10℃到Td℃线性变化；模块工作温度在Tb℃-Tc℃时，TOSA核心温度从Td℃到Te℃线性变化；模块工作温度在Tc℃-85℃时，TOSA核心温度从Te℃到65℃线性变化；模块工作温度在高于-85℃时，TOSA核心温度为65℃，其中10＜Td≤Te＜65。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述Tb℃为-5℃，所述Tc℃为20℃，所述Td℃与所述Te℃均为35℃。

11.如权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述对EAM偏置电压进行补偿，是通过微控制器上的数模转化输出端对EAM偏置电压进行补偿的。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述设定当前模块工作温度对应的TOSA核心温度具体为：微控制器根据预设的模块温度与TOSA核心温度的对应关系，控制半导体制冷制热装置TEC的驱动电路输出电流来控制TOSA的核心温度。