[发明专利]一种采用氟硼酸盐热分解法制备三氟化硼的方法无效

专利信息
申请号: 201110425083.5 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102491361A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 原东风 申请(专利权)人: 天津市泰源工业气体有限公司
主分类号: C01B35/06 分类号: C01B35/06
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 朱红星
地址: 300385 天津市西*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 硼酸盐 解法 制备 氟化 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种化工产品,特别是一种从氟硼酸盐热分解法制备三氟化硼的技术,适合于生产三氟化硼

背景技术

三氟化硼是有机合成和石油化工广泛应用的一种重要催化剂,在很多有机化学反应如烷基化、聚合、异构化、加成、缩合及分解等过程中都有应用。它之所以在催化反应方面有如此广泛的应用领域,是由于硼电子层结构有生成络合物的强烈倾向,在酸性催化剂作用中产生催化活性结构,这一点非常重要。在许多反应中,以三氟化硼为基础的催化剂要比天机酸金属的卤化物催化效能更活泼,而且不致于引起不利的副反应。作为催化剂,BF3可以在各种形态下应用,例如以单独气态使用,或者和许多类型的无机与有机物剂一同使用;以及制成它的络合物应用。同时,它又可采用蒸馏或化学方法进行再生回收,经精制重新使用。BF3及其它合物在环氧树脂中用固化剂,在聚酶纤维染色、制造醇溶性酚醛树脂中也有广泛的应用。

(一)有机合成催化剂

BF3在许多有机合成中担当催化作用。如在中分子量PIB的工业化生产中,采用BF3催化体系,不但能简化生产装置、缩短生产周期、降低劳动强度,而且可显著提高PIB的收率。

(二)离子渗硼

“渗硼”术语第一次在文献中出现是1917年,但有关渗硼处理层特殊的详细资料却在五十年后才出现。

渗硼或硼化,是一种应用于黑色和有色金属材料的奥氏体化学热处理,使其表面生成含硼化物的硬化层。渗硼层的硬度高达2000HV,具有良好的耐磨性和抗蚀性。

由于三氟化硼更易操作,无需在气路上加热,在炉膛内分布更均匀,且由于其硼的含量较高,故常用于离子渗硼中硼的载气。

(三)用做常温快速固化剂

BF3是环氧树脂常温快速固化剂。BF3作为固化剂需与环氧树脂分开包装,随用随酸。操作时配比误差影响粘接质量,工艺繁琐。现选择不同熔点的固体物质作为包裹材料,将BF3制成微型胶囊,通过囊壁阻断环氧树脂与BF3作用,从而制成单一成产品且可稳定贮存,通过囊材熔点选择释放温度,在此温度下囊材料放出BF3固化剂,与环氧树脂混合,促使其快速固化。且可通过选择囊材物质的黏性与分子链长,改善固化环氧树脂的柔顺性。

(四)核技术领域应用

用三氟化硼-10-乙醚络合物与氯化钙反应生成硼酸三甲酯,然后水解,经蒸浓后,得到的高纯硼酸可用于核反应堆作为中子慢化剂。

的某些络合物以10BF3的形式富集10B,可用于分离硼的同位素。而10BF3可在核技术中的比例是子计数器内用做中子吸收介质,并用于核反应堆的控制。

(五)半导体器件制造工艺的离子注入源

三氟化硼在半导体器件制造工艺中用做离子注入源,可以改善半导体器件的性能。

在元素周期表中Ⅳ族硅原子晶体是掺杂Ⅴ族原子时,因外层电子多出一个自由电子而能够导电。我们把Ⅴ族杂质称N型杂质,而把生成自由电子的原子称为给予体。当掺杂Ⅲ族原子时,与上述情况相反,因缺少一个电子而出现孔洞。在此孔内,邻近的电子可以跳入,并可按顺序移动。这种Ⅲ型杂质称为P型杂质,而生产孔的原则则称为受体。

通常,磷和砷作为N型杂质使用,硼则作为P型杂质使用,这种杂质称为掺杂质。通常,掺杂质的比例为106-107个硅原子中掺杂1个杂质,以形成一个导电区。

掺杂质的方法有热扩散法和离子注入法。热扩散是把硅片置于扩散炉中,在杂质气的气氛中加热到大约1000℃,这时杂质原子便扩散进入到硅结晶中,从而形成导电区的一种方法。热扩散法通常使用的气体,对于P型有乙硼烷(B2H6),N型有磷化氢(PH3)和砷化氢(AsH3)。

离子注入法是在真空中把杂质原子离子化后在电场中加速,然后把离子打入晶体内的技术。离子注入法使用的气体有三氟化硼(BF3)、磷化氢和砷化氢。离子注入法因其内部安装有质量分析仪来挑选所需的离子,因此很少杂质的影响。此外,通过电场调节可以控制离子注入量,并可以调节离子注入深度及位置,因此比热扩散法优越。

(六)冶金及焊接

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