[发明专利]一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管无效
| 申请号： | 201110425171.5 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102447027A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 朱彦旭;刘建朋;李翠轻;曹伟伟;丁艳 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 提取 窗口 垂直 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层，电极自上而下依次垂直连接；多量子阱有源区两侧的电极极性不同；多量子阱有源区一侧的电极，高光提取的窗口层结构以及限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的限制层，接触层以及电极的极性相同。
2.根据权利要求1所述的一种高光提取窗口层的垂直结构型发光二极管，其特征在于：所述的高光提取的窗口层结构由半导体窗口层与接触层垂直连接构成；所述发光二级管中的电极与所述的高光提取的窗口结构中的半导体窗口层垂直连接，所述的高光提取的窗口结构中的接触层与所述发光二级管中的限制层垂直连接。
3.根据权利要求2所述的一种具有高光提取窗口层的垂直结构型发光二极管，其特征在于：所述半导体窗口层所用的材料是透明导电的材料。
4.如权利要求2所述的一种具有高光提取窗口层的垂直结构型发光二极管，其特征应在于：所述半导体窗口层的厚度大于或等于
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