[发明专利]双面晶体管动态随机存取存储器的方法与双面晶体管结构

权利要求书

1.一种双面晶体管动态随机存取存储器的方法，包含有：

提供一硅鳍式场效晶体管结构，其具有至少有两个鳍片和位于所述两个鳍片之间的一沟槽；

在每一鳍片的两侧形成多个高电阻门极；

在每一对高电阻门极之间形成一孔洞，使所述每对高电阻门极互相连接；

在所述沟槽的一侧和所述每对高电阻门极中的一个高电阻门极的下方形成一门极；

形成一氧化层覆盖所述门极；和

沉积一厚金属层在所述沟槽中形成一字线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征为，还包含：

在形成所述孔洞之后，将所述孔洞内至少一部分填充一金属。

3.如权利要求2所述的方法，其特征为，所述孔洞是填满一金属氮化物。

4.如权利要求1所述的方法，其特征为，所述沟槽中所填入的金属为氮化钛或钛钨。

5.如权利要求1所述的方法，其特征为，所述厚金属层具有低电阻性和耦接一接地端。

6.一种双面晶体管结构，包含有：

至少有两个鳍片，其具有一沟槽位于所述两个鳍片之间；

一对高电阻门极，形成于每一鳍片的两侧，其中所述每对高电阻门极通过一孔洞互相电性连接；

一门极，在所述沟槽的一侧和所述每对高电阻门极中的一个高电阻门极的下方；和

一低电阻字线，形成于所述门极的下方。

7.如权利要求6所述的结构，其特征为，所述孔洞至少有一部分为一金属氮化物所填充。

8.如权利要求6所述的结构，其特征为，所述低电阻字线的材质为氮化钛或钛钨。

9.如权利要求6所述的结构，其特征为，位于所述沟槽一侧的所述门极为一氧化层所覆盖。

10.如权利要求6所述的结构，其特征为，所述孔洞是在形成所述每对高电阻门极的期间形成。

11.如权利要求6所述的结构，其特征为，所述孔洞是在形成所述低电阻字线所进行的金属沉积工艺期间形成。