[发明专利]动态随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201110425199.9 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102683346A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·郑林 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;G11C7/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 单元 | ||
1.一种动态随机存取存储器单元，包含：
第一鳍式场效应晶体管；以及
第二鳍式场效应晶体管，其与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：
源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；
存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；
写入字元线；以及
读取字元线，其堆迭于所述写入字元线之上；
其中当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据由所述第一鳍式场效应晶体管读取出来。
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第二鳍式场效应晶体管包含：
电容器，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的所述第二鳍片且电性连接于一源极随耦晶体管。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一鳍式场效应晶体管与所述第二鳍式场效应晶体管的结构相同，以及藉由所述第二鳍式场效应晶体管的所述源极随耦晶体管电性连接于所述第一鳍式场效应晶体管的所述第二鳍片中的一电容器，所述第二鳍式场效应晶体管的所述源极随耦晶体管使所述第一鳍式场效应晶体管的数据被读取出来。
4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器单元，其特征在于，所述电性连接是通过N型掺杂。
5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器单元，其特征在于，所述动态随机存取存储器单元是互补式金氧半导体图像传感器。
6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器单元，其特征在于，所述动态随机存取存储器单元的面积为4F2，其中F为标准参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
