[发明专利]离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺

权利要求书

1.离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，包括以下步骤：

1)以PbO粉末和WO₃粉末为原料，按照n(PbO)∶n(WO₃)＝1∶1摩尔比精确配料，利用坩埚下降法或提拉法生长钨酸铅晶体；

2)将生成的钨酸铅晶体经X射线定向仪精确定向、切割、研磨成厚度为2～5mm规格的钨酸铅晶片，清洗后得到纯钨酸铅晶体样品；

3)将步骤(2)得到的纯钨酸铅晶体样品放入装有金属氧化物粉末的坩埚中，使纯钨酸铅晶体样品被金属氧化物粉末严实包裹，然后将坩埚放入马弗炉中，升温至800～1000℃，保温12～36h后扩散结束，然后降温至室温，得到改性的钨酸铅晶体。

2.如权利要求1所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述步骤3)中，升温速率为12～17℃/min；降温为自然冷却至室温。

3.如权利要求2所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：升温速率为15℃/min。

4.如权利要求1～3之一所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述的金属氧化物粉末选自下列一种纯度为分析纯的金属氧化物：CeO₂、Cr₂O₃、Gd₂O₃、Sm₂O₃、MnO₂、Eu₂O₃。

5.如权利要求4所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述的金属氧化物粉末为分析纯的CeO₂，扩散温度为1000℃。

6.如权利要求4所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述的金属氧化物粉末选自下列一种纯度为分析纯的金属氧化物：Cr₂O₃、Gd₂O₃、MnO₂、Eu₂O₃，扩散温度为900℃。

7.如权利要求4所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述的金属氧化物粉末为分析纯的Sm₂O₃，扩散温度为800℃。

8.如权利要求5～7之一所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：扩散时间为24-36h。

9.如权利要求1～3之一所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述步骤3)中，扩散在空气氛中或还原气氛中进行。

10.如权利要求9所述的离子扩散法改性钨酸铅晶体的工艺，其特征在于：所述的还原气氛含有还原气体，所述还原气体为CO、H₂或H₂S，所述还原气氛中还原气体的体积含量≤100％。