[发明专利]聚酰亚胺钝化保护整流芯片的工艺

权利要求书

1.聚酰亚胺钝化保护整流芯片的工艺，其特征是，包括如下步骤：

（1）镀镍硅片N+电极面合金

将镀镍硅片的N+面和焊片对应排列在一起，加热温度至270~350℃，焊片熔化后和硅片表面的镍层形成合金；

（2）镀镍硅片P+面开槽

     采用机械方法对镀镍硅片的P+面进行开槽处理，然后对硅片的表面进行清洗，去除表面的污垢；

（3）镀镍硅片P+面合金

     镀镍硅片P+面用网板进行网印焊料，控制温度为270~350℃，对镀镍硅片进行清洗，去除助焊剂；

（4）对镀镍硅片进行化学处理

用混合酸对镀镍硅片的开槽处进行腐蚀，去除硅片表面的损伤层，然后用纯水对镀镍硅片进行超声波清洗；清洗完毕后进行离心甩干，最后进行烘干；

（5）对镀镍硅片进行涂敷、固化

将聚酰亚胺酸均匀涂敷在镀镍硅片的P+面，通过烘烤使涂敷在P+面的聚酰亚胺酸形成厚度为15~80um的聚酰亚胺层，保护PN结，控制烘烤温度为200~280℃；

（6）吹砂去胶

用带有通孔的网板，对准镀镍硅片的P+面，并将网板和镀镍硅片的P+面进行粘结，然后进行吹砂处理，去除硅片P+面顶部的聚酰亚胺，最后清洗镀镍硅片，去除表面污垢；

（7）漂洗氧化层

     使用活化剂去除镀镍硅片表面的氧化层，然后清洗并烘干；

（8）测试、划片、筛选

     镀镍硅片经过上述一系列处理后，测试其电性参数，并将镀镍硅片切割成芯片形状，然后筛选出外观不良品。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺钝化保护整流芯片的工艺，其特征在于：所述步骤（4）中的混合酸为包含常规浓度的氢氟酸、硝酸、以及酸稳定剂的混合物。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺钝化保护整流芯片的工艺，其特征在于：所述步骤（7）中的活化剂为常规浓度的硝酸溶液。