[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括下列步骤：

提供一半导体基底，具有一第一导电类型；

于所述半导体基底上形成一外延层，具有所述第一导电类型；

于所述外延层中形成多个第一沟槽；

顺应性于所述第一沟槽的侧壁和底面上形成多个第一绝缘衬垫层；

进行一第一掺杂工艺，将具有所述第一导电类型的一第一掺质沿所述第一沟槽的所述侧壁掺杂所述外延层，以形成多个第一掺杂区；

将一第一绝缘材料填入所述第一沟槽；

于所述外延层中形成多个第二沟槽；

顺应性于所述第二沟槽的侧壁和底面上形成多个第二绝缘衬垫层；

进行一第二掺杂工艺，将具有一第二导电类型的一第二掺质沿所述第二沟槽的所述侧壁掺杂所述外延层，以形成多个第二掺杂区；以及

将一第二绝缘材料填入所述第二沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为n型，且所述第二导电类型为p型。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体基底的掺质浓度大于所述外延层的掺质浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进行所述第一掺杂工艺之后更包括进行一第一扩散工艺，使所述第一掺质均匀分布于每一个所述第一掺杂区中，且进行所述第二掺杂工艺之后更包括进行一第二扩散工艺，使所述第二掺质均匀分布于每一个所述第二掺杂区中。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，位于所述第一掺杂区中的所述外延层具有所述第一导电类型，且其中位于所述第二掺杂区中的所述外延层具有所述第二导电类型。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽的所述底面在所述外延层内。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一和第二绝缘材料包括氧化材料或无掺杂多晶硅材料，且所述第一和第二绝缘材料的顶面与所述外延层的一顶面对齐。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽交错设置。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，每一个所述第一掺杂区相邻所述第二掺杂区的其中一个。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区为柱状。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺质浓度大于所述外延层的掺质浓度。

12.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述第二绝缘材料填入所述第二沟槽之后包括：

于所述外延层上依序形成一栅极氧化层和一栅极层；

移除部分所述栅极氧化层和所述栅极层，以形成多个栅极结构，其中所述栅极结构分别覆盖所述第一沟槽且覆盖相邻所述第一沟槽的部分所述外延层，且所述第二沟槽从所述栅极结构暴露出来；

于未被所述栅极结构覆盖的所述外延层中形成一第一井区，具有所述第二导电类型；

于所述第一井区中形成多个源极区，具有所述第一导电类型，其中所述源极区分别相邻所述栅极结构；

形成一层间介电层，覆盖所述外延层和所述栅极结构；

移除部分所述层间介电层，形成一接触孔开口，所述第二沟槽和相邻所述第二沟槽的部分所述外延层从所述接触孔开口暴露出来；

于从所述接触孔开口暴露出来的部分所述外延层中形成多个接线区，具有所述第二导电类型；以及

将一导电材料填入所述接触孔开口，以形成一接触孔插塞。