[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

2011年1月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0003178，名称为“半导体器件及其制造方法(Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof)”，通过引用将其全部内容合并于此。

技术领域

本发明公开涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)器件可以采用多种类型的技术制造。例如，可以使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制造半导体IC器件。

发明内容

可以通过提供如下半导体器件来实现实施例，该半导体器件包括：输出端口，包括第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)；以及包括第二LDMOS和双极晶体管的静电放电保护器件，静电放电保护器件用于保护输出端口免受静电放电。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。

第一LDMOS器件可以包括：在衬底上的第一栅极；在第一栅极一侧的第一源区，所述第一源区具有第一导电类型；以及第一本体区，在所述第一源区下面并包围所述第一源区，第一本体区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。第一LDMOS器件还可以包括：在第一本体区中的第一本体触点区，该第一本体触点区具有第二导电类型；在第一栅极另一侧的第一漏区，所述第一漏区具有第一导电类型；在衬底中并在第一源区和第一漏区之间的第一隔离区，该第一隔离区与第一栅极的一部分交叠；在第一本体区下面的第一深阱，该第一深阱具有第二导电类型；在第一深阱下面的第一埋层，该第一埋层具有第一导电类型。

第二LDMOS器件可以包括：在衬底上的第二栅极；在第二栅极一侧的第二本体区，所述第二本体区具有第二导电类型；在第二本体区中的第二本体触点区，该第二本体触点区具有第二导电类型；在第二栅极另一侧的第二漏区，所述第二漏区具有第一导电类型；在衬底中并在第二本体区和第二漏区之间的第二隔离区，该第二隔离区与第二栅极的一部分交叠；在第二本体区下面的第二深阱，该第二深阱具有第二导电类型；和在第二深阱下面的第二埋层，该第二埋层具有第一导电类型。该第二LDMOS器件可以包括第二本体区中的第二源区，该第二源区具有第一导电类型。

双极晶体管可以包括与第二本体区隔开的发射区、在发射区下面并包围该发射区的基极区、以及第二漏区，该发射区具有第一导电类型，该基极区具有第二导电类型。双极晶体管可以包括在基极区下面的外延层。基极区与第二深阱之间可以是非交叠关系。基极区的掺杂浓度可以比第二深阱的掺杂浓度高并比第二本体区的掺杂浓度低。

从衬底的底面到基极区的底面的第一距离大于从衬底的底面到第二本体区的底面的第二距离。第二隔离区的长度可以等于或小于第一隔离区的长度。第二隔离区和第二深阱之间的第二交叠长度可以等于或大于第一隔离区和第一深阱之间的第一交叠长度。

第一LDMOS器件可以包括在第一隔离区和第一漏区下面并包围该第一隔离区和第一漏区的第一漂移区，该第一漂移区具有第一导电类型。第二LDMOS器件可以包括在第二隔离区和第二漏区下面并包围该第二隔离区和第二漏区的第二漂移区，该第二漂移区具有第一导电类型。第二隔离区的长度等于或小于第一隔离区的长度。

基极区的一部分与第二深阱的一部分可以相互交叠。基极区的实质上整个区域与第二深阱之间可以是非交叠关系。双极晶体管可以包括在第二本体区中的发射区、包围该发射区的第二本体区、以及第二漏区，所述发射区具有第一导电类型。

可以通过提供如下来实现实施例：输出端口，包括第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)；以及包括第二LDMOS和可控硅整流器的静电放电保护器件，静电放电保护器件用于保护输出端口免受静电放电。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。