[发明专利]一种在转接板上实现电绝缘的方法有效
| 申请号： | 201110427183.1 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102496579A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;于大全;周静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 转接 实现 绝缘 方法 | ||
1.一种在含有TVS结构的半导体基板实现电绝缘的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A在一半导体基底上至少有一个TSV结构，所述TSV结构从所述半导体基底的上表面延伸到下表面，所述TSV结构的侧壁包括一绝缘层，所述TSV结构内包括导电材料；
B 湿法刻蚀所述半导体基底的上表面，使所述TSV结构一端曝露出所述半导体基底上表面；
C在所述半导体基底的上表面制作绝缘材料，整平所述半导体基底的上表面，并使所述TSV结构一端曝露出所述半导体基底上表面；
D在所述半导体基底的上表面的绝缘材料上制作金属再布线层。
2.一种在含有TVS结构的半导体基板实现电绝缘的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A在一半导体基底上至少有一个TSV结构，所述TSV结构从所述半导体基底的上表面延伸到下表面，所述TSV结构的侧壁包括一绝缘层，所述TSV结构内包括导电材料；
B在所述半导体基底的上表面制作光刻胶，并使所述光刻胶图形化，并在所述TSV结构周围形成刻蚀区，湿法刻蚀所述半导体基底的上表面的刻蚀区，形成沟槽；
C剥离所述光刻胶，在被刻蚀出的所述沟槽内制作绝缘材料；
D整平所述半导体基底的上表面，并使所述TSV结构一端曝露出所述半导体基底的上表面；
E在所述半导体基底的上表面的所述绝缘材料上制作金属再布线层，所述金属再布线层的金属布线在所述沟槽的绝缘层上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的湿法刻蚀是通过碱性腐蚀溶液刻蚀。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的碱性腐蚀溶液为KOH或NaOH。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的绝缘材料为二氧化硅，聚合物或玻璃三种中的任一一种。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体基底的材料是硅。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述制作绝缘材料的方法是化学气相沉积法或旋涂法。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沟槽的刻蚀深度小于半导体基底的高度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
