[发明专利]使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法无效

专利信息
申请号: 201110427211.X 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102520482A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 王海东 申请(专利权)人: 深圳市易飞扬通信技术有限公司
主分类号: G02B6/138 分类号: G02B6/138;G03F7/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518067 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 使用 半导体 工艺 制作 光纤 阵列 关键 方法
【权利要求书】:

1.一种使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,包括以下步骤:

在基板上镀上保护层;

在所述保护层上涂布光刻胶;

对所述光刻胶进行曝光处理;

显影除去所述光刻胶中透光部分,将光纤阵列图像转移至所述光刻胶上;

除去所述保护层中不被所述光刻胶覆盖的部分;

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述基板,在所述基板上刻蚀多个U形槽;

除去所述基板上残留的保护层,得到光纤阵列定位基板;

在所述光纤阵列定位基板上排布光纤组成光纤带,封装得到所述光纤阵列。

2.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,在封装之前采用切片机切割所述光纤阵列定位基板成型,每个光纤定位基板可以切割成多个小光纤阵列定位基板。

3.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述U形槽的深度为5~50微米。

4.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述干法刻蚀工艺为等离子刻蚀法、反应离子刻蚀法、离子束刻蚀法或电感耦合等离子体刻蚀法。

5.根据权利要求4所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述干法刻蚀工艺刻蚀过程中采用的刻蚀气体为CHF3、SF6、NF3、PF6、BF3和CF4中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述光纤阵列的封装步骤进一步包括:

将光纤放入所述U形槽中组成光纤带后,将压盖板放置于所述光纤带上,在所述基板、所述压盖板及所述光纤带之间加入固化剂,使所述基板、所述压盖板及所述光纤带固定成型,其中所述光纤带的端部突出于所述基板端面和所述压盖板端面共同定义的平面;

对所述光纤带突出于所述基板端面和所述压盖板端面共同定义的平面的端面进行研磨,使所述光纤带的端面为倾角为45°的光学平面。

7.根据权利要求6所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述固化剂为紫外固化胶或红外环氧胶。

8.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述保护层为铬保护层,且通过真空镀膜或磁控溅射法制作而成。

9.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述除去所述保护层中不被光刻胶覆盖的部分和除去所述基板上残留的保护层的步骤均采用高氯酸和硝酸铈铵的混合液作为腐蚀液。

10.根据权利要求1所述的使用半导体工艺制作光纤阵列的关键方法,其特征在于,所述基板为石英玻璃基板、硼硅玻璃基板或单晶硅基板。

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