[发明专利]一种哑金属填充方法

权利要求书

1.一种哑金属填充方法，其特征在于，包括如下步骤：

A光刻仿真一半导体物理版图，得到畸变的半导体物理版图数据；

B对所述畸变的半导体物理版图数据进行寄生参数提取，得到包含寄生元器件的电路网表；

C通过电路仿真对所述畸变的半导体物理版图的电路进行瞬态分析，得到瞬态分析结果；

D计算所述瞬态分析结果，确定所述畸变的半导体物理版图的电路中电路节点的延时极限和等效电学信息；

E根据所述电路节点的延时极限和等效电学信息，在引入冗余哑金属填充给所述畸变的物理版图的线网后，计算所述电路节点承载的极限寄生电容；

F以所述电路节点极限寄生电容为上限、多次调整哑金属填充方法，优化半导体物理版图的芯片的机械平整度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤D中所述电路节点的延时极限根据如式(1)所示计算：

Tdealylimit，n  ＝k/fclk；

其中，Tdealylimit，n为所述畸变的物理版图的线网n上的延时极限；fclk为所述线网n直接关联的时钟信号频率；k为常数，其取值范围一般在[0.01，0.10]之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等效电学信息包括电路节点等效寄生电容和电路节点等效导通电阻。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电路节点等效寄生电容为所有线网的现有寄生电容之和，即包括所述线网的器件连接到所述线网的寄生电容和所述线网互连线之间的寄生电容。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述线网的器件连接到所述线网的寄生电容按照如式(2)所示计算；

Cnet.n，exist，dev＝∑Cnet.n，exist，dev，i

(2)

其中，

i＝1，2，3，…，Nnet，n，dev_cnum；

Nnet，n，dev_cnum为线网n上器件引起的寄生电容数量；

Cnet.n，exist，dev为所述线网n的器件连接到所述线网的寄生电容。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述线网互互连线之间的寄生电容计算按照如式(3)所示计算；

Cnet.n，exist，wire＝∑Cnet.n，exist，wire，i

(3)

其中，

i＝1，2，3，…，Nnet，n，wire_cnum；

Nnet，n，wire_cnum为所述线网n上互连线引起的寄生电容数量；

Cnet.n，exist，wir为所述线网n互连线之间的寄生电容。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电路节点等效导通电阻的计算方法包括如下步骤：

A计算电源到所述线网的对应节点之间的对电源等效电阻；

B计算地线到线网的对应节点之间的对地等效电阻；

C在所述对电源等效电阻和所述对地等效电阻中，选取最大值为所述电路节点等效导通电阻。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线网极限寄生电容按如下式(4)计算：

Cnet，n，extra_limit＝Tdealylimit，n/Ron-Cnet.n，exist

其中，

Tdealylimit，n为线网n的延时极限；

Ron为所述线网等效导通电阻；

Cnet.n，exist为线网n的等效寄生电容；

Cnet，n，extra_limit为冗余哑金属填充给线网n引入的极限寄生电容。