[发明专利]MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110427751.8 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102569483A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张希清;刘凤娟;胡佐富;黄海琴;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mgzno 光敏 电阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MgZnO日盲光敏电阻器，其特征在于：
MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长低组份Mg的第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。
2.根据权利要求1所述的一种MgZnO日盲光敏电阻器，其特征在于：
所述的第一层MgxZn1-xO过渡层中X＝0.16-0.20，厚度为2-10nm；
所述的第二层MgyZn1-yO过渡层中Y＝0.26-0.40，厚度为2-10nm。
3.根据权利要求1所述的一种MgZnO日盲光敏电阻器，其特征在于：
所述的MgZZn1-ZO薄膜中Z＝0.43-0.55。
4.一种MgZnO日盲光敏电阻器制备方法，其特征在于：该方法的步骤包括：
步骤一 将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；
步骤二 R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；
步骤三 R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层厚度为2-10nm的MgxZn1-xO过渡层，其中X＝0.16-0.20；接着在相同生长温度下生长第二层厚度为2-10nm的MgyZn1-yO过渡层，其中Y＝0.26-0.40；
步骤四 在生长温度400-500℃下，生长MgZZn1-ZO薄膜，其中Z＝0.43-0.55；
步骤五 在MgZZn1-ZO薄膜上，制备厚度100-150nm的金属电极，其中金属材料是Al、Au、Pt。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
