[发明专利]一种高价离子的产生装置无效

专利信息
申请号: 201110428529.X 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN103165393A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李海洋;赵无垛;曲丕丞;王卫国;谢园园 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16;H01J37/08
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 高价 离子 产生 装置
【权利要求书】:

1.一种高价离子的产生装置,其特征在于:包括样品池(1)、电磁脉冲阀(2)、束源室(3)、差分小孔(4)、电离室(5)和脉冲激光光源(6);

束源室(3)和电离室(5)均为一中空的密闭箱体,束源室(3)和电离室(5)的一侧壁面相贴接,管路(10)一端接高压气源,另一端伸入束源室(3)内,于束源室(3)内的管路出口端设有电磁脉冲阀(2),管路出口面向束源室(3)和电离室(5)贴接的一侧壁面,在管路出口正前方的束源室(3)的壁面上设有与电离室(5)相通的差分小孔(4);

在电离室(5)的侧壁上设有光窗,并于光窗外设有脉冲激光光源(6),激光光源(6)发出的激光通过光窗进入电离室(5)内;

束源室(3)和电离室(5)上均设有与分子泵相连的排气口;

一脉冲发生器,分别通过导线与电磁脉冲阀(2)和脉冲激光光源(6)连接。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:激光焦点(11)处设置有样品靶,真空室(5)上设置有样品靶取出/放入口,样品靶取出/放入口处设有密封盖。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于:所述高价离子的产生装置包括样品池(1);

具体结构为:上端开口的样品池(1)内装填有液体样品,管(9)伸入样品池(1)底部,通往样品池(1)底部的管(9)一端设置有气体分布器,另一端接高压气源;

样品池(1)的上端开口设有密封盖,密封盖与样品池间通过O圈(8)将样品池(1)密封;样品池(1)的密封盖上设有气体出口,气体出口通过管路(10)伸入束源室(3)内。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:

差分小孔(4)为中空的台状圆锥。中心孔从圆锥顶端到圆锥底端逐渐增大;

5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于:

气体分布器为一中空箱体,箱体表面密布有半径为0.2~5mm的小孔(7);管(9)一端伸入气体分布器的空腔内;高压气体从小孔冒出时,形成的气泡均匀且小,从样品表面冒出时携带大量的样品。

6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:

电磁脉冲阀(2)气体出口、差分小孔(4)、激光焦点(11)处于同轴位置。

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