[发明专利]一种跨导增强无源混频器有效
申请号: | 201110428630.5 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102412786A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 吴建辉;陈超;刘智林;赵强;温俊峰;王旭东;白春风;田茜 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214135 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 无源 混频器 | ||
1.一种跨导增强无源混频器,包括混频级和偏置电路;其特征在于:还包括具有跨导增强功能的跨导级、无源混频开关对和增强的负载输出级。具有跨导增强功能的跨导级将输入射频电压转化为射频电流,射频电流经过双平衡混频开关对实现混频,混频后的电流通过跨导增强的负载输出级,转换为中频电压输出。
2.根据权利要求1所述的跨导增强型无源混频器,其特征在于:所述跨导级包括第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、交叉耦合电容和LC谐振回路;
所述第一PMOS管PM0与第二PMOS管PM1的偏置电压由第一偏置电压(1)通过第一电阻R0、第二电阻R1分别给出;第一电感L0、第三电容C2、第四电容C3、第五电容C4为增强跨导所采用的电路元件;跨导级的输出射频电流从第三电阻R2与第五电阻R4之间、第四电阻R3与第六电阻R5之间分别引出,并经过第六电容C5、第七电容C6分别耦合至混频开关级;所述混频级包括第三PMOS管PM2至第六PMOS管PM5;所述跨导级混频后的结果从PM第三PMOS管PM2、第六PMOS管PM5的漏极输出;其中第三PMOS管PM2、第五PMOS管PM4漏极短接,第四PMOS管PM3、第六PMOS管PM5漏极短接;
负载输出级主要由第七PMOS管PM6至第十六PMOS管PM15、第三NMOS管NM2和第四NMOS管NM3构成;所述第七PMOS管PM6、第八PMOS管PM7、第十一PMOS管PM10、第十二PMOS管PM11、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3构成负载输出级的第一级差分放大电路;所述第三NMOS管NM2和第四NMOS管NM3由第二偏置电压(2)提供偏置;第一级差分放大电路由第七PMOS管PM6、第八PMOS管PM7的漏端输出,接至由第九PMOS管PM8、第十PMOS管PM9、第十三PMOS管PM12、第十四PMOS管PM13组成的第二级差分源极跟随器;信号由第十三PMOS管PM12、第十四PMOS管PM13的漏极输出,接至由第十五PMOS管PM14、第十六PMOS管PM15、第七电阻R6、第八电阻R7组成第三级的差分共源放大电路,中频信号最终由第十五PMOS管PM14、第十六PMOS管PM15的漏端输出;
所述第一电容C0、第二电容C1的上极板分别接正输入信号端和负输入信号端;第一电容C0的下极板接第一PMOS管PM0的栅极;第二电容C1的下极板接第二PMOS管PM1的栅极;第三电容C2的上极板接第一PMOS管PM0漏端,第四电容C3的上极板接第二PMOS管PM1漏端,第三电容C2的下极板接第五电容C4的下极板,第四电容C3的下极板接第五电容C4的上极板,第五电容C4的上极板接第一电感L0正端,第五电容C4下极板接第一电感L0负端,第一电感L0正端与第五电容C4上极板同时接第二NMOS管NM1栅极,L0第一电感负端与第五电容C4下极板同时接第一NMOS管NM0栅极;第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1的源极接电源电压,第一电阻R0正端接第一PMOS管PM0的栅极,负端接第二电阻R1的正端;第二电阻R1的负端接第二PMOS管PM1的栅极;第三电阻R2的正端接第一PMOS管PM0的漏端,负端第五电阻R4的正端;第五电阻R4的负端接第一NMOS管NM0的漏极;第四电阻R3的正端接第二PMOS管PM1的漏端,负端接第六电阻R5的正端;第六电阻R5的负端接第二NMOS管NM1的漏极;第一NMOS管NM0和第二NMOS管NM1的源极接地;
射频耦合第六电容C5上极板接第三电阻R2的负端与第五电阻R4的正端;射频耦合第七电容C6上极板接第三电阻R3的负端与第六电阻R5的正端;第六电容C5的下极板接第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的源极;第七电容C6的下极板接第五PMOS管PM4、第六PMOS管PM5的源极;
本振信号的正端接第四PMOS管PM3与第五PMOS管PM4的栅极,本振信号的负端接第三PMOS管PM2与第六PMOS管PM5的栅极;第三PMOS管PM2与第五PMOS管PM4的漏极同时接第八电容C7的上极板;第四PMOS管PM3与第六PMOS管PM5的漏极同时接第八电容C7的下极板;
开关级的正输出即第八电容C7的上极板接负载级第七PMOS管PM6的源极,同时接第十一PMOS管PM10的漏极,开关级的负输出即第八电容C7的下极板接负载级第八PMOS管PM7的源极,同时接第十二PMOS管PM11的漏极;第七PMOS管PM6与第八PMOS管PM7的栅极接第四偏置电压(4)进行偏置;第七PMOS管PM6的漏极接第三NMOS管NM2的漏极,同时接第九PMOS管PM8的栅极;第八PMOS管PM7的漏极接第四NMOS管NM3的漏极,同时接第十PMOS管PM9的栅极;第九PMOS管PM8与第十PMOS管PM9的漏极接地,构成源极跟随器;第三NMOS管NM2与第四NMOS管NM3的源极接地,第三NMOS管NM2与第四NMOS管NM3的栅极接第二偏置电压(2)进行偏置;
第十一PMOS管PM10、第十六PMOS管PM15的源极均接电源电压;第九PMOS管PM8的源极接第十三PMOS管PM12的漏极,同时接第十五PMOS管PM 14的栅极;第十PMOS管PM9的源极接第十四PMOS管PM13的漏极,同时接第十六PMOS管PM15的栅极;第十五PMOS管PM14的漏极作为输出电压的正端,接第七电阻R7的正端;第八电阻R7的负端接地;第十六PMOS管PM15的漏极作为输出电压的负端,接第九电阻R8的正端;第八电阻R8的负端接地。
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