[发明专利]一种焊料凸点的形成方法无效
| 申请号： | 201110428754.3 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102496584A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 焊料 形成 方法 | ||
1.一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，包括：
在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；
在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；
在上述开口中的金属浸润层上依次形成阻挡层和焊料保护层；
在焊料保护层上形成焊料膏；
去除光刻胶；
蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；
回流焊料膏，形成焊料凸点。
2.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛。
3.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述金属浸润层的材料是铜。
5.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。
6.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是镍。
7.根据权利要求6所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述镍阻挡层的厚度是1.5～3μm。
8.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述焊料保护层是纯锡或锡合金。
9.根据权利要求8所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述焊料保护层的厚度是1～2μm。
10.根据权利要求1或8所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述焊料膏的材质与焊料保护层的材质一致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
