[发明专利]具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110428953.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102569028A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 | 申请（专利权）人： | 李德财 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具易移 牺牲 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于该制造方法包含以下步骤：
一、制备一层第一基板；
二、于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5；及
三、于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层。
2.根据权利要求1所述的具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于：该制造方法还包含一个实施于该步骤二与步骤三间的步骤二之一，将该氧化镓牺牲层图案化。
3.根据权利要求1所述的具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于：该制造方法还包含一个实施于该步骤三之后的步骤四，于该磊晶结构层上形成一层第二基板。
4.根据权利要求3所述的具易移除牺牲层的磊晶结构的制造方法，其特征在于：该制造方法还包含一个实施于该步骤四之后的步骤五，通入蚀刻液将该氧化镓牺牲层移除，让该磊晶结构层与第一基板互相分离。
5.一种具易移除牺牲层的磊晶结构，包含：一层第一基板，以及一层磊晶结构层，其特征在于：该磊晶结构还包含一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层形成于该第一基板上，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5，该磊晶结构层磊晶成长于该氧化镓牺牲层上。
6.根据权利要求5所述的具易移除牺牲层的磊晶结构，其特征在于：该氧化镓牺牲层具有经图案化而形成的多个蚀刻通道。
7.根据权利要求5所述的具易移除牺牲层的磊晶结构，其特征在于：该磊晶结构还包含位于该氧化镓牺牲层与第一基板之间和/或该氧化镓牺牲层与磊晶结构层之间的复合牺牲层。
8.根据权利要求7所述的具易移除牺牲层的磊晶结构，其特征在于：该复合牺牲层是选自氮之原子百分比＞20％的氮化物，或硅之原子百分比＞30％的硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
