[发明专利]一种金属纳米晶存储器

权利要求书

1.一种金属纳米晶存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成于衬底沟道区两侧的源端和漏端；及

依次形成于衬底沟道区上方的隧穿介质层、金属纳米晶存储层、电荷阻挡层和栅电极；

其中，所述金属纳米晶存储层是由金属纳米晶胶体经喷涂方法沉积于所述隧穿介质层上并蒸发金属纳米晶胶体内的溶剂而形成的。

2.根据权利要求1所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述金属纳米胶体为利用激光烧蚀法制备的。

3.根据权利要求1所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述金属纳米晶存储层为单层金属纳米晶颗粒，其颗粒大小介于2～15nm之间。

4.根据权利要求3所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述金属纳米晶存储层的材料为大功函数的金属材料。

5.根据权利要求4所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述大功函数的金属材料为金、银或铂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的纳米晶存储器，其特征在于，其特征在于，所述隧穿介质层和电荷阻挡层的材料为高介电常数材料。

7.根据权利要求6所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述高介电常数材料为氧化铪、氧化铝或氧化铪/氧化铝双层堆叠。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的纳米晶存储器，其特征在于，所述栅电极的材料为铂、银、钯、钨、钛、铝、铜、ITO、IZO或多晶硅材料。