[发明专利]形成通过封装剂之上的绝缘层的开口供互连结构的增强粘合性的半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201110429755.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102569097A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康;方建敏 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 通过 封装 之上 绝缘 开口 互连 结构 增强 粘合 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供载体；
将半导体小片安装到所述载体；
将封装剂沉积在所述半导体小片和载体之上；
去除所述载体；
在所述半导体小片的占用面积外部的互连部位中的所述封装剂的一部分之上形成第一绝缘层；
去除所述互连部位中的所述第一绝缘层的一部分，以便露出所述封装剂；
在所述第一绝缘层和外露封装剂之上形成第一导电层；
在所述第一导电层之上形成第二绝缘层；以及
在所述互连部位中的所述第一导电层之上形成凸块。
2.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一绝缘层的所述一部分而留下所述第一绝缘层中的环形开口，以便露出所述封装剂。
3.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一绝缘层的所述一部分而留下所述第一绝缘层中在所述互连部位周围以90度递增的多个开口，以便露出所述封装剂。
4.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一绝缘层的所述一部分而留下所述第一绝缘层中在所述互连部位周边的多个开口，以便露出所述封装剂。
5.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体小片；
将封装剂沉积在所述半导体小片之上和周围；
在所述半导体小片的占用面积外部的互连部位中的所述封装剂的一部分之上形成第一绝缘层；
形成通过所述互连部位中的所述第一绝缘层的开口，以便露出所述封装剂；以及
在所述第一绝缘层和外露封装剂之上形成第一导电层。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一绝缘层中的所述开口为环形。
7.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一绝缘层中的所述开口包括所述互连部位的周边的所述第一绝缘层中的多个通孔，以便露出所述封装剂。
8.一种半导体器件，包括：
半导体小片；
沉积在所述半导体小片之上和周围的封装剂；
在所述半导体小片的占用面积外部的互连部位中的所述封装剂的一部分之上形成的第一绝缘层，其中开口形成为通过所述互连部位中的所述第一绝缘层，以便露出所述封装剂；以及
在所述第一绝缘层和外露封装剂之上形成第一导电层。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层中的所述开口为环形。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层中的所述开口包括所述互连部位的周边的所述第一绝缘层中的多个通孔，以便露出所述封装剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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