[发明专利]半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器

权利要求书

1. 一种半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，其特征在于，该激光器包括半导体纳米线、量子点（2）和金属薄膜（3），所述量子点（2）分布于半导体纳米线表面，所述半导体纳米线与金属薄膜（3）之间：半导体纳米线紧贴在金属薄膜（3）表面上，其间无间隙；或者

半导体纳米线与金属薄膜（3）表面之间有间隙，所述间隙中分布有量子点（2）。

2. 根据权利要求1所述的半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，其特征在于，所述半导体纳米线构成的谐振腔的半径在500nm以内，所述金属薄膜（3）的厚度在100nm以上。

3. 根据权利要求1或2所述的半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，其特征在于，所述的半导体纳米线为实心半导体纳米线（1），所述量子点（2）分布于实心半导体纳米线（1）的外表面。

4. 根据权利要求1或2所述的半导体纳米线-金属薄膜结构的表面等离子体激元激光器，其特征在于，所述的半导体纳米线为空心半导体纳米线（4），所述量子点（2）分布于空心半导体纳米线（4）的外表面及内壁上。