[发明专利]GaN基薄膜芯片的制造方法

权利要求书

1.一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：

1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；

2)在外延层上制作反射层；

3)在反射层上涂覆第一树脂层；

4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；

5)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；

6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；

7)在第二树脂层上粘合第二临时基板，并固化；

8)去除第一临时基板和第一树脂层，露出反射层；

9)在反射层上电镀永久支撑基板；

10)去除第二临时基板和第二树脂层；

11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；

12)在粗化后的外延层的表面制作电极。

2.根据权利要求1所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中在外延层和第二树脂层之间还有一层保护层。

3.根据权利要求1所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中反射层是采用蒸发、溅射或电镀的方法制作。

4.根据权利要求3所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中反射层的材料为Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr或Ag，或Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Ag、SiO₂、TiO₂、ITO、Al₂O₃或MgF₂的组合。

5.根据权利要求3所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中所述反射层的厚度为0.001微米-100微米。

6.根据权利要求1所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中第一树脂层和第二树脂层为丙烯酸树脂或环氧树脂，其厚度为2-2000微米。

7.根据权利要求2所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中所述保护层的材料为Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Ag、SiO₂、TiO₂、ITO、Al₂O₃或MgF₂，或及其组合，其厚度是0.001微米-100微米。

8.根据权利要求1所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中第一临时基板和第二临时基板的材料为Si、陶瓷、光学玻璃、蓝宝石、Cu、GaAs或石墨，或W、Cu或Mo的组合。

9.一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：

1)在蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；

2)在外延层上涂覆第一树脂层；

3)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；

4)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；

5)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；

6)在第二树脂层上粘合第二临时基板，并固化；

7)去除第一临时基板和第一树脂层，露出外延层；

8)在外延层上制作反射层；

9)在反射层上电镀永久支撑基板；

10)去除第二临时基板和第二树脂层；

11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；

12)在粗化后的外延层的表面制作电极。

10.根据权利要求9所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中在外延层和第一树脂层之间还有一层保护层。

11.根据权利要求9所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中在外延层和第二树脂层之间还有一层保护层。

12.根据权利要求9所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中反射层是采用蒸发、溅射或电镀的方法制作。

13.根据权利要求12所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中反射层的材料为Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr或Ag，或Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Ag、SiO₂、TiO₂、ITO、Al₂O₃或MgF₂的组合。

14.根据权利要求12所述的GaN基薄膜芯片的制造方法，其中所述反射层的厚度为0.001微米-100微米。