[发明专利]微电极阵列传感器

权利要求书

1.一种微电极阵列传感器，包括：

一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；

一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；

一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；

一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；

多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；

一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。

2.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中多组电极功能区的数量为100-10000，每一组电极功能区包括，一微电极和三个传输极，并排制作在栅氧层上，材料为金、铂、银、铜、铝或氧化铟锡。

3.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中衬底的材料为P型硅或三五族P型半导体。

4.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中源极和输出极的材料为N型硅或三五族N型半导体。

5.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中栅氧层的材料为二氧化硅或氮化硅。

6.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中电极功能区的材料为金、铂、银、铜或铝。

7.根据权利要求1所述的微电极阵列传感器，其中绝缘层的材料为二氧化硅或氮化硅。