[发明专利]负电压生成器、译码器、非易失性存储器件及存储系统

权利要求书

1.一种负电压生成器，包括：

直流电压生成器，被配置成生成直流电压；

参考电压生成器，被配置成生成参考电压；

振荡器，被配置成生成振荡时钟；

电荷泵，被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及

电压检测器，被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对直流电压分压得到的。

2.如权利要求1所述的负电压生成器，其中，所述电压检测器包括：

电源部件，其响应于负电压使能信号向比较节点供应直流电压；

分压部件，其连接在比较节点和被供应以所述负电压的检测节点之间，并且被配置成对所述直流电压分压；

放电部件，其连接在检测节点和接地端之间，并且被配置成响应于反相的负电压使能信号对检测节点的负电压放电，其中该反相的负电压使能信号相对于所述负电压使能信号反相；

比较部件，被配置成通过比较比较节点的电压和参考电压来生成泵时钟；以及

控制部件，其响应于负电压使能信号激活电源部件和电流通过形成部件。

3.所述的负电压生成器2所述的负电压生成器，其中，所述电源部件包括：

PMOS晶体管，其一端被供应以直流电压，并且其栅极被连接为接收所述反相的负电压使能信号；以及

第一电阻器，其连接在该PMOS晶体管的另一端与比较节点之间。

4.如权利要求2所述的负电压生成器，其中，所述分压部件包括：

多个电阻器，串联连接在检测节点与比较节点之间；

晶体管，其连接在多个电阻器中的至少一个的一端与另一端之间；以及

电平位移器，被配置成向晶体管的栅极提供与输入的修正码相对应的电压电平。

5.如权利要求4所述的负电压生成器，其中，所述电平位移器包括：

至少一个PMOS晶体管，被配置成传送电源端的电源电压；以及

至少一个NMOS晶体管，被配置成传送阱电压端的阱电压。

6.如权利要求5所述的负电压生成器，其中，所述至少一个PMOS晶体管是低电压晶体管，并且所述至少一个NMOS晶体管是高电压晶体管。

7.如权利要求5所述的负电压生成器，其中，所述至少一个PMOS晶体管是低电压晶体管，并且所述至少一个NMOS晶体管是低电压晶体管。

8.如权利要求5所述的负电压生成器，其中，所述至少一个PMOS晶体管是高电压晶体管，并且所述至少一个NMOS晶体管是高电压晶体管。

9.如权利要求5所述的负电压生成器，其中，所述至少一个NMOS晶体管的主体与阱电压端连接。

10.如权利要求2所述的负电压生成器，其中，所述放电部件包括NMOS高电压晶体管，其一端与检测节点连接，另一端接地，并且其栅极被连接为接收与负电压使能信号相对应的电压电平。

11.如权利要求2所述的负电压生成器，其中，所述比较部件包括：

比较器，被配置成比较参考电压和比较节点的电压；以及

逻辑部件，被配置成通过对比较器的输出、振荡时钟和负电压使能信号执行逻辑与生成所述泵时钟。

12.如权利要求2所述的负电压生成器，其中，所述控制部件包括：

第一反相器，被配置成将负电压使能信号反相；

第二反相器，被配置成将第一反相器的输出反相；以及

电平位移器，被配置成转换成与负电压使能信号相对应的电压电平，并将转换的电压电平输出到电流通过形成部件。

13.如权利要求1所述的负电压生成器，还包括：

字线负电压生成器，被配置成接收直流电压、参考电压和负电压，并生成与负电压相对应的负字线电压。

14.如权利要求13所述的负电压生成器，其中，从电荷泵输出的负电压被施加到在其中形成被供应以负字线电压的电路的阱。