[发明专利]一种低频强磁场屏蔽材料

权利要求书

1.一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的屏蔽材料是由单层或多层的高电导率材料和单层或多层的铁磁性材料构成；在高电导率材料和铁磁性材料均为单层时，在该屏蔽材料中，从屏蔽前磁场到屏蔽后磁场，依次排列高电导率材料、铁磁性材料；在高电导率材料和铁磁性材料均为多层时，在该屏蔽材料中，从屏蔽前磁场到屏蔽后磁场，依次排列高电导率材料、铁磁性材料，并在每层铁磁性材料之间有一层高电导率材料。

2.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的低频强磁场是指磁场的频率范围为10KHz～500KHz，磁场强度范围为2.3Gs～0.3Gs。

3.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的高电导率材料是指铜、银或铝。

4.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的铁磁性材料为高抗磁饱和铁磁性材料和/或高磁导率材料。

5.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的高抗磁饱和铁磁性材料为纯度＞99.9％的纯铁或铁钴合金1J22。

6.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的高磁导率材料为铁镍合金1J50、1J79、1J85中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的单层或多层的铁磁性材料中的每层铁磁性材料厚度范围为0.05mm～0.5mm。

8.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的单层或多层的高电导率材料中的每层高电导率材料厚度范围为0.01mm～0.1mm。

9.根据权利要求1所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的铁磁性材料在真空或氢气条件下进行热处理，热处理温度为700℃～1300℃，保温时间2～10h，快冷时降温速率＞200℃/h。

10.根据权利要求4所述的一种低频强磁场屏蔽材料，其特征在于：所述的铁磁性材料为高抗磁饱和材料和高磁导率材料时，它们排列顺序是高抗磁饱和材料比高磁导率材料更靠近屏蔽前磁场。