[发明专利]一种上转换发光透明陶瓷材料及其制备方法无效
申请号: | 201110430934.5 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102515751A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 邹小庆;易海兰;周国红;杨燕;王士维 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/622 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转换 发光 透明 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种上转换发光透明陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。
背景技术
上转换发光材料是一种在红外光激发下能发出可见光的发光材料,可用于发光二极管、固体基质和高灵敏度的生物分子荧光标记材料等。自从1964年发现上转换发光现象以来人们对此开展了广泛的研究,但大都在单晶或玻璃体系中。由于单晶生长条件苛刻,玻璃的化学稳定性和机械强度差,而陶瓷具有稳定性好、能批量生产、成本低等特点,因此对陶瓷体系的上转换发光材料的研究引起了广泛的关注,例如J.A.Capobianco等人(Chem.Mater,14,2002,2915-2921)报道了Y2O3:Ho3+的上转换发光现象,ParasN,Prasad等人(J.Phys.Chem.B,106,2002,1909-1912)报道了ZrO2掺杂Er3+纳米晶的上转换发光。
稀土是一个巨大的光学材料宝库,如果能够寻求更多的掺杂稀土离子用于上转换材料中,应该能够发掘出更多的光学材料。当前寻求新的发光机制,提高发光效率,选择更合适的基质材料仍然是今后工作中的难点和重点。
发明内容
本发明的目的是提供一种上转换发光透明陶瓷材料及其制备方法,为本领域增添一类新产品,以满足上转换发光材料的应用要求。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种上转换发光透明陶瓷材料,其特征在于:以铪酸镧钇(化学式为La0.8Y1.2Hf2O7)为基质,以三价镱为敏化离子,共掺杂三价铒或三价铥。
作为进一步优选方案,所述的上转换发光透明陶瓷材料的组成通式为:ErxYby(La0.8Y1.2)2-x-yHf2O7,其中:0<x≤0.2,0<y≤0.2。
作为进一步优选方案,所述的上转换发光透明陶瓷材料的组成通式为TmxYby(La0.8Y1.2)2-x-yHf2O7,其中:0<x≤0.05,0<y≤0.1。
一种所述的上转换发光透明陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:
a)采用固相法制备陶瓷粉体;
b)采用干压结合冷等静压成型工艺制备陶瓷素坯;
c)进行烧结,然后随炉冷却;
d)进行退火热处理。
作为进一步优选方案,采用固相法制备陶瓷粉体的步骤如下:按照组成通式称取化学计量比的HfO2、Y2O3、La2O3、Yb2O3和A2O3,进行球磨,然后干燥、过筛,即得陶瓷粉体,其中:A2O3为Er2O3或Tm2O3。
作为更进一步优选方案,所述球磨以无水乙醇为介质,以高纯氧化锆为磨球,球磨时间为12~20小时。
作为更进一步优选方案,所述干燥条件为:在70~100℃干燥5~10小时。
作为更进一步优选方案,所述过筛为过200目筛。
作为进一步优选方案,采用干压结合冷等静压成型工艺制备陶瓷素坯的步骤如下:将粉体先在5~20MPa下干压成型为素坯,再将所得素坯在180~230MPa进行冷等静压处理。
作为更进一步优选方案,所述干压成型和冷等静压处理均在室温下进行。
作为更进一步优选方案,所述冷等静压处理的时间为1~3分钟。
作为进一步优选方案,所述烧结的步骤如下:将制得的陶瓷素坯先在800~1100℃预烧2~4小时,然后在真空或氢气气氛下于1800~2000℃烧结4~10小时。
作为更进一步优选方案,所述真空条件为真空度≤5.0×10-3Pa。
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