[发明专利]高纯钴靶材的制备方法无效
| 申请号： | 201110431047.X | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102424940A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C21D8/00;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 钴靶材 制备 方法 | ||
1.一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，包括：
对高纯钴锭进行多次锻造；
对多次锻造后的钴锭进行退火处理；
对经过退火处理后的钴锭进行多次压延形成钴靶坯；
对钴靶坯进行最终再结晶退火处理。
2.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述多次锻造中，每次锻造的变形率为50％～70％，总的锻造的变形率为50％～70％。
3.如权利要求2所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述多次锻造之前对所述钴锭进行预热处理，所述预热处理的温度为700℃～900℃。
4.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，对多次锻造后的钴锭进行退火处理的步骤中，退火处理温度为500℃～700℃，保温时间为2～3小时。
5.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述多次压延中，每次压延的变形率为10％～20％，总的压延的变形率为70％～90％。
6.如权利要求5所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，进行所述多次压延处理之前对所述钴锭进行预热处理，所述预热处理的温度为350℃～450℃。
7.如权利要求1所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述最终再结晶退火处理的温度为450℃～600℃，保温时间为1～2小时。
8.如权利要求7所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，所述最终再结晶退火处理后的30s内对钴靶坯进行快速水冷处理。
9.如权利要求7所述的高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，最终再结晶退火处理中，退火温度的公差为±3℃。
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