[发明专利]一种大电流晶体管封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110431266.8 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN102522379A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 吕德祥 申请(专利权)人: 福建福顺半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350001 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 晶体管 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种大电流晶体管封装结构,其特征在于,包括:

一引线框架,该引线框架由大散热片制作而成,该引线框架具有一散热固定部、一芯片部、一中间管脚以及两侧管脚,该散热固定部、芯片部和中间管脚连为一体,该芯片部呈等腰梯形状;

一芯片,该芯片设置于引线框架的芯片部正面中间,该芯片分别经金属焊丝与两侧管脚电性连接;

一胶体,该胶体包覆引线框架的芯片部、中间管脚的根部、两侧管脚的根部、金属焊丝以及芯片。

2.根据权利要求1所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该散热固定部与芯片部上底的连接颈部正面开设有一第一横槽。

3.根据权利要求2所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该第一横槽为两层槽,上层槽为条形槽,下层槽为燕尾槽。

4.根据权利要求1或2所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该芯片部的两面均沿下底和两腰开设有一U型槽。

5.根据权利要求4所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该些U型槽的横截面呈V字形。

6.根据权利要求4所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该芯片部下底和两腰的边缘均呈凹凸状,该些边缘的中间呈尖状凸起。

7.根据权利要求1所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该中间管脚和两侧管脚的根部正面开设有两第二横槽,根部背面开设有一第二横槽。

8.根据权利要求7所述的大电流晶体管封装结构,其特征在于:该些第二横槽的横截面均呈V字形。

9.一种大电流晶体管封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供一引线框架,该引线框架由大散热片制作而成,该引线框架具有一散热固定部、一芯片部、一中间管脚以及两侧管脚,该散热固定部、芯片部和中间管脚连为一体,该芯片部呈等腰梯形状;

提供一芯片,采用焊锡材料将芯片的背部焊接于引线框架的芯片部正面中间,该芯片的背材为背银,采用铝线将芯片的源极与一侧管脚电性连接以及将芯片的漏极与另一侧管脚电性连接;

形成一胶体,以包覆引线框架的芯片部、中间管脚的根部、两侧管脚的根部、金属焊丝以及芯片。

10.根据权利要求7所述的大电流晶体管封装结构的制作方法,其特征在于:在散热固定部与芯片部上底的连接颈部正面开设一第一横槽,该第一横槽为两层槽,上层槽为条形槽,下层槽为燕尾槽;在芯片部的两面沿下底和两腰分别开设一U型槽,该些U型槽的横截面呈V字形;该芯片部下底和两腰的边缘均呈凹凸状,该些边缘的中间呈尖状凸起;在中间管脚和两侧管脚的根部正面开设两第二横槽以及根部背面开设一第二横槽,该些第二横槽的横截面均呈V字形。

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