[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层表面形成有第二层间介质层，以及贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层厚度的沟槽；

对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理，分别形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层的宽度大于所述第二牺牲层宽度；

形成第一牺牲层和第二牺牲层后，填充满所述沟槽形成金属线层；

形成金属线层后，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层形成开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；

形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二子开口的口径比第一子开口的口径小5-20nm。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层和第二层间介质层的材料为含碳的低K介质材料，所述第一层间介质层中的碳的原子百分比含量为a％，所述第二层间介质层中的碳的原子百分比含量为b％，且a＜b。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述a和b的关系为：1/5b＜a＜b。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理的方法为氧化处理工艺。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化处理工艺的工艺参数范围为：氧气的流量为50sccm-2000sccm，温度为30-250℃，压强为50毫托-100托。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理的方法为等离子处理工艺。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子处理工艺通入的气体为氧气。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子处理工艺的工艺参数范围为：功率为100-300W，压强为10毫托-200毫托，温度为20-60℃，通入的气体的流量为50-500sccm。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层的工艺为干法或湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一牺牲层和第二牺牲层时，采用的化学试剂包括HF。

12.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的工艺参数范围为：质量分数为0.1％-5％的HF，刻蚀时间为2-10分钟。

13.一种半导体器件，包括：

基底；

位于所述基底表面、至少两个相互分立的金属线层；

位于相邻两个金属线层之间的两个分立的开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；

位于所述两个分立的开口之间的层间介质层；

覆盖所述层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述层间介质层包括基底表面的第一层间介质层和位于所述第一层间介质层表面的第二层间介质层，其中，所述第一层间介质层和第二层间介质层的材料为含碳的低K介质材料，所述第一层间介质层中的碳的原子百分比含量为a％，所述第二层间介质层中的碳的原子百分比含量为b％，且a＜b。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述a和b的关系为：1/5b＜a＜b。

16.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于相邻两个金属线层之间的基底表面的刻蚀阻挡层，所述层间介质层位于刻蚀阻挡层表面。