[发明专利]一种场发射压力传感器无效
申请号: | 201110431614.1 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN103162899A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 杨立斌;李程 | 申请(专利权)人: | 西安威正电子科技有限公司 |
主分类号: | G01L21/30 | 分类号: | G01L21/30 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 压力传感器 | ||
技术领域
本发明涉及传感器领域,具体涉及一种场发射压力传感器。
背景技术
目前场发射压力传感器结构复杂。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种场发射压力传感器,结构简单。
为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种场发射压力传感器,包括电子发射阳极1,电子发射阳极1的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接,电子发射阳极1的顶部设有第一电极引线4,电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5,电子发射阳极1底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。
本发明具有结构简单的优点。
附图说明
附图为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述。
参照附图,一种场发射压力传感器,包括电子发射阳极1,电子发射阳极1的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接,电子发射阳极1的顶部设有第一电极引线4,电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5,电子发射阳极1底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。
本发明的工作原理为:
在电场作用下,电子发射阴极2的电子发射材料发射电子,向电子发射阳极1运动形成发射电流,如果电子发射阳极1和电子发射阴极2之间的距离发生变化,导致发射电流发生变化,电子发射阳极1对外力敏感、容易形变,根据发射电流和变形的关系,通过测量发射电流得出相应的压力数值。
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