[发明专利]一种场发射压力传感器无效

专利信息
申请号: 201110431614.1 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN103162899A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 杨立斌;李程 申请(专利权)人: 西安威正电子科技有限公司
主分类号: G01L21/30 分类号: G01L21/30
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710077 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 压力传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及传感器领域,具体涉及一种场发射压力传感器。

背景技术

目前场发射压力传感器结构复杂。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种场发射压力传感器,结构简单。

为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:

一种场发射压力传感器,包括电子发射阳极1,电子发射阳极1的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接,电子发射阳极1的顶部设有第一电极引线4,电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5,电子发射阳极1底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。

本发明具有结构简单的优点。

附图说明

附图为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作详细描述。

参照附图,一种场发射压力传感器,包括电子发射阳极1,电子发射阳极1的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接,电子发射阳极1的顶部设有第一电极引线4,电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5,电子发射阳极1底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。

本发明的工作原理为:

在电场作用下,电子发射阴极2的电子发射材料发射电子,向电子发射阳极1运动形成发射电流,如果电子发射阳极1和电子发射阴极2之间的距离发生变化,导致发射电流发生变化,电子发射阳极1对外力敏感、容易形变,根据发射电流和变形的关系,通过测量发射电流得出相应的压力数值。

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