[发明专利]纵向PNP型三极管及其制造方法

权利要求书

1.一种纵向PNP型三极管，包括有位于p型硅衬底中的隔离结构，两个隔离结构之间为n型基区；其特征是，在硅衬底中还具有n型深阱及其上方的p型深阱，两者相接触；在隔离结构的底部具有相互独立的p型赝埋层和n型赝埋层；所述n型基区与n型赝埋层横向连接；第一接触孔电极穿越隔离结构连接p型赝埋层；第二接触孔电极穿越隔离结构连接n型赝埋层。

2.根据权利要求1所述的纵向PNP型三极管，其特征是，p型深阱之上的硅衬底作为所述纵向PNP型三极管的集电区，其由p型赝埋层和第一接触孔电极引出；n型基区由n型赝埋层和第二接触孔电极引出。

3.如权利要求1所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在p型硅衬底上刻蚀沟槽；

第2步，在沟槽底部以离子注入和退火形成相互独立的p型赝埋层和n型赝埋层；

第3步，以介质填充沟槽形成隔离结构；

第4步，以离子注入工艺在硅衬底内部形成n型深阱及其上方的p型深阱，两者相接触；

第5步，对两个隔离结构之间的硅衬底注入n型杂质作为n型基区，该n型基区与n型赝埋层相连；

第6步，在硅片表面形成第一介质并刻蚀出发射区窗口；

第7步，在硅片表面淀积多晶硅；

第8步，采用光刻和刻蚀工艺形成T形多晶硅发射区及其两端下方的第一介质；

第9步，对T形发射区注入p型杂质；

第10步，在p型发射区和第一介质的两侧形成侧墙；

第11步，在硅片表面淀积层间介质并刻蚀出连接p型赝埋层的第一通孔、连接n型赝埋层的第二通孔和连接p型发射区的第三通孔，在这些通孔中填充金属。

4.根据权利要求3所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，当所述方法第7步中淀积多晶硅时原位掺杂p型杂质，则省略所述方法第9步。

5.根据权利要求3所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，所述方法第2步中，形成赝埋层的离子注入剂量为1×10¹⁴～1×10¹⁶原子每平方厘米，能量＜15KeV。

6.根据权利要求3所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，所述方法第4步中，形成深阱的离子注入剂量为1×10¹⁴～5×10¹⁵原子每平方厘米，能量为500～3000KeV。

7.根据权利要求3所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，所述方法第5步中，形成n型基区的离子注入剂量为5×10¹¹～5×10¹³原子每平方厘米，能量为50～500KeV。

8.根据权利要求3所述的纵向PNP型三极管的单独制造方法，其特征是，所述方法第9步中，对发射区进行的离子注入剂量为1×10¹³～5×10¹⁵原子每平方厘米，能量为10～100KeV。