[发明专利]电子照相光电导体和使用其的图像形成装置有效

专利信息
申请号: 201110432196.8 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN102621830A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 木原彰子;近藤晃弘;小幡孝嗣 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G03G5/04 分类号: G03G5/04;G03G5/06;G03G15/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨海荣;穆德骏
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 照相 光电 导体 使用 图像 形成 装置
【权利要求书】:

1.一种电子照相光电导体,其包含依次层压在导电载体上的含有电荷产生材料的电荷产生层和含有电荷转移材料的电荷转移层,其中在所述电荷产生层与所述导电载体之间设置有底涂层;或包含形成在导电载体上的含有电荷产生材料和电荷输送材料的单层型感光层,其中在所述单层型感光层与所述导电载体之间设置有底涂层,其中:

所述电荷输送层或所述单层型感光层含有由如下通式(I)表示的双胺化合物作为电荷转移材料:

其中Ar1各自表示各自可具有取代基的芳基、杂芳基、芳烷基或杂芳烷基,Ar2各自表示各自可具有取代基的亚芳基或亚杂芳基,Ar3和Ar4可以相同或不同且各自表示氢原子或者各自可具有取代基的烷基或芳基,R1和R2可以相同或不同且各自表示各自可具有卤素原子或取代基的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基或C1-C4二烷基氨基,m为0~4的整数,且n为1~4的整数。

2.根据权利要求1所述的电子照相光电导体,其中在所述通式(I)中,Ar1各自表示芳基、杂芳基、芳烷基或杂芳烷基,所述芳基、杂芳基、芳烷基或杂芳烷基各自可以被一个以上卤素原子或者一个以上直链或支链C1-C4烷基或C1-C4烷氧基取代,

Ar2各自为各自可以被一个以上取代基取代的亚芳基或亚杂芳基,所述取代基为卤素原子或者一个以上直链或支链C1-C4烷基或C1-C4烷氧基、或者苯氧基或苯硫基,

Ar3和Ar4可以相同或不同,且各自为氢原子或者烷基或芳基,所述烷基或芳基各自可以被一个以上卤素原子或者一个以上直链或支链C1-C4烷基或C1-C4烷氧基取代,

R1和R2可以相同或不同且各自表示各自可以被一个以上取代基取代的C1-C3烷基、C1-C3烷氧基或C1-C3二烷基氨基,所述取代基为卤素原子或者一个以上直链或支链C1-C4烷基或C1-C4烷氧基,且

m为0~4的整数,且n为1~4的整数。

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