[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201110432580.8 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102565508A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 秋山肇;冈田章 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
半导体元件,具有表面电极;
引出线,与所述表面电极电连接,通过所述表面电极的上方向侧面引出;以及
电流传感器,对在所述引出线中流过的电流进行检测,
所述电流传感器具有配置在所述表面电极上且所述引出线的下方的磁阻元件,
所述磁阻元件的电阻值相对于由所述电流产生的磁场线性地变化。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述磁阻元件是旋转阀型TMR元件、旋转阀型GMR元件以及附加了螺旋条状纹电极的AMR元件的任意一种。
3.如权利要求1或者2所述的半导体装置,其特征在于,
所述电流传感器还具有在与所述电流的方向成直角的方向延伸并且夹着所述磁阻元件的第一以及第二铁磁体。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述电流传感器还具有与所述第一以及第二铁磁体连接的由铁磁体材料构成的桥形状体。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述磁阻元件具有在与所述磁场成直角的方向多次折返的形状。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述电流传感器还具有配置在所述表面电极上并且与所述磁阻元件连接而构成桥电路的固定电阻。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述电流传感器还具有设置在与所述半导体元件相同的芯片内并且对所述磁阻元件的电阻值进行读取的电路。
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