[发明专利]制造半导体设备的方法、半导体设备以及使用该半导体设备的点火器

权利要求书

1.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括下列步骤：

使引线框的第一表面朝上，所述引线框包括引线部分和为形成配线电路而被划分的配线电路部分；

使用第一接合材料将半导体装置接合到所述配线电路部分的部件安装平面；

使用所述第一接合材料来接合第一电子部件，以桥接所述配线电路部分之间的间隙；

用接合导线连接所述半导体装置和所述配线电路部分；

使所述引线框上下翻转，以使所述引线框的第二表面朝上；

在比所述第一电子部件的接合温度低的温度下使用第二接合材料将第二电子部件接合到所述引线框的第二表面，以桥接配线电路部分之间的间隙；

以及

用模压树脂密封所述引线框的两侧。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一接合材料包括第一焊料，用与所述引线框的所述第二表面接触的第一加热器在高于所述第一焊料熔点的温度下对所述第一焊料加热，以将所述半导体装置和所述第一电子部件接合到所述引线框的所述第一表面；

以及

所述第二接合材料包括第二焊料，所述第二焊料的熔点低于所述第一焊料的熔点，且用第二加热器在低于所述第一焊料但高于所述第二焊料的熔点的温度下对所述第二焊料加热，以将所述第二电子部件接合到所述引线框的所述第二表面，所述第二加热器与所述引线框的所述第一表面内所述半导体装置和所述第一电子部件所安装的区域之外的区域相接触。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第二加热器所接触的所述引线框在使用所述第二焊料来接合时被置于高温加热炉中，以在用所述第二加热器加热时将环境温度设高。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一接合材料包括焊料，用与所述引线框的所述第二表面接触的加热器在高于所述焊料熔点的温度下对所述焊料加热，以将所述半导体装置和所述第一电子部件接合到所述引线框的所述第一表面；

以及

所述第二接合材料包括热固性导电粘合剂，所述粘合剂在低于所述焊料的所述熔点的环境温度下被加热，以将所述第二电子部件接合到所述引线框的所述第二表面。

5.一种半导体设备，包括：

引线框，所述引线框包括引线部分和为形成配线电路而划分的配线电路部分；

所述引线框的第一表面上的半导体装置，使用第一接合材料将所述半导体装置接合到所述配线电路部分的部件安装平面，所述半导体装置借助于接合配线而连接到所述配线电路部分；

第一电子部件，使用所述第一接合材料将所述第一电子部件接合到所述引线框的所述第一表面，以桥接所述配线电路部分之间的间隙；

以及

第二电子部件，使用第二接合材料将所述第二电子部件接合到所述引线框的第二表面，所述第二接合材料能够在比所述第一接合材料的温度低的温度下进行接合，以桥接所述配线电路部分之间的间隙。

6.一种点火器，包括：

引线框，所述引线框包括引线部分和为形成配线电路而划分的配线电路部分；

所述引线框的第一表面上的功率半导体装置，使用第一接合材料将所述功率半导体装置接合到所述配线电路部分的部件安装平面，所述功率半导体装置借助于接合配线而连接到所述配线电路部分；

IC，所述IC控制所述功率半导体装置，所述IC在所述引线框的所述第一表面上，使用第一接合材料将所述IC接合到所述配线电路部分的部件安装平面，所述IC借助于接合配线而连接到所述配线电路部分；

第一电子部件，使用所述第一接合材料将所述第一电子部件接合到所述引线框的所述第一表面，以桥接所述配线电路部分之间的间隙；

以及

第二电子部件，使用第二接合材料将所述第二电子部件接合到所述引线框的第二表面，以桥接所述配线电路部分之间的间隙，所述第二接合材料能够在比所述第一接合材料的温度低的温度下进行接合。