[发明专利]压力传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种形成压力传感器的方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，在所述半导体基底内具有控制电路和互连结构，在所述半导体基底上形成有底部电极，所述互连结构将所述底部电极和控制电路电连接；

形成牺牲层，覆盖所述底部电极；

形成顶部电极，覆盖所述牺牲层的顶面、侧面以及部分所述半导体基底，所述顶部电极具有第一开口，所述第一开口暴露出所述牺牲层；

通过所述第一开口去除所述牺牲层，在所述顶部电极和底部电极之间形成空腔；

形成介质层，覆盖所述半导体基底和顶部电极，所述介质层具有呈环状的第二开口，所述第二开口隔离出与所述底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。

2.如权利要求1所述的形成压力传感器的方法，其特征在于，所述半导体基底内还具有另一互连结构，与所述顶部电极电连接；

或者，在所述介质层中形成另一互连结构，在所述顶部电极覆盖半导体基底的部分与所述顶部电极电连接。

3.如权利要求1所述的形成压力传感器的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶碳；

形成所述牺牲层的方法为化学气相沉积；

去除所述牺牲层的方法为：

等离化氧气形成氧等离子体；

将所述氧等离子体通入所述第一开口，在温度范围为150℃～450℃的条件下灰化所述非晶碳。

4.如权利要求1所述的形成压力传感器的方法，其特征在于，所述控制电路为CMOS电路。

5.一种压力传感器，其特征在于，包括：

半导体基底，在所述半导体基底内具有控制电路和互连结构，在所述半导体基底上形成有底部电极，所述互连结构将所述底部电极和控制电路电连接；

顶部电极，包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁与所述底部电极相对设置，所述底壁位于所述半导体基底上，所述侧壁连接底壁和顶壁，所述顶部电极和底部电极之间为空腔；

介质层，覆盖所述半导体基底和顶部电极，所述介质层具有呈环状的第二开口，所述第二开口隔离出所述顶部电极的部分顶壁，该隔离出的部分顶壁作为压力传感区。

6.如权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述半导体基底内还具有另一互连结构，与所述顶部电极电连接；

或者，在所述介质层中形成有另一互连结构，在所述顶部电极覆盖半导体基底的部分与所述顶部电极电连接。

7.如权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述控制电路为CMOS电路。