[发明专利]一种高导热氮化铝厚膜的制备方法

权利要求书

1.一种高导热氮化铝厚膜的制备方法，采用电弧离子镀沉积氮化铝厚膜，该膜氮铝比例一致，所制备的AlN高导热膜膜层厚度可达3～10μm，膜层与基体之间结合力大，所涉及的基体材料是不锈钢、铁、铜、铝金属材料，或陶瓷、玻璃，或无机非金属材料，或环氧树脂、聚酰亚胺高分子有机聚合物。

2.如权利要求1所述的高导热氮化铝厚膜的制备方法，该方法是通过下述工艺步骤实现的：首先要对基体材料进行表面处理，对于金属材料首先采用机械抛光法将基体表面打磨，然后进行化学处理，使表面清洁光亮；对于无机非金属材料和有机材料要进行化学清洗，选择纯铝作为阴极靶材，铝靶材的纯度为99.99％，反应气体采用纯氮气，氮气的纯度为99.999％，通过电离出来的铝离子与氮气反应形成AlN高导热膜。

3.如权利要求1或2所述的高导热氮化铝厚膜的制备方法，其电弧离子镀AlN高导热厚膜的制备工艺过程：

1)先将工件基体清洗干燥后放入样品室内，进行抽真空，真空度控制在9×10^-3Pa以下；

2)通入高纯Ar气对基体进行溅射清洗；

3)随后通氩气、启弧、加负偏压、通氮气，氮气压力为1～3×10^-1Pa，预轰击清洗在250v～650V负偏压下进行10～180min。

4.如权利要求2或3所述的高导热氮化铝厚膜的制备方法，其具体步骤：溅射清洗，4×10^-3Pa下真空状态下，通入高纯Ar气对基体进行溅射清洗；镀AlN膜，首先要对基体进行加热100℃，靶与基体之间的距离为200mm，设置负偏压的变化范围为300V，阴极电流58A，氮气分压4×10^-2Pa，沉积时间30分钟，得到高导热AlN膜3μm。

5.如权利要求2或3所述的高导热氮化铝厚膜的制备方法，其具体步骤：溅射清洗：6×10^-3Pa下真空状态下，通入高纯Ar气对基体进行溅射清洗；镀AlN膜，首先要对基体进行加热100℃，靶与基体之间的距离为200mm，设置负偏压的变化范围为500V，阴极电流60A，氮气分压5×10^-2Pa，沉积时间60分钟，得到高导热AlN膜5μm。

6.如权利要求2或3所述的高导热氮化铝厚膜的制备方法，其具体步骤：溅射清洗，6×10^-3Pa下真空状态下，通入高纯Ar气对基体进行溅射清洗；镀AlN膜，首先要对基体进行加热100℃，靶与基体之间的距离为200mm，设置负偏压的变化范围为600V，阴极电流65A，氮气分压8×10^-2Pa，沉积时间150分钟，得到高导热AlN膜9μm。