[发明专利]一种具有抗辐照功能的寄存器

权利要求书

1.一种具有抗辐照功能的寄存器，其特征在于，包括：一个延迟单元、一个反相器、一个保护门电路、第一锁存器单元和第二锁存器单元，其中，所述寄存器具有两个输入端口和两个输出端口，两个输入端口依次为时钟输入端和数据输入端，第一锁存器单元的时钟输入端与反相器的输入端相连接，作为所述寄存器的时钟输入端；保护门电路的第一输入端和延迟单元的输入端相连接，作为所述寄存器的数据输入端；所述延迟单元的输出端与保护门电路的第二输入端相连，所述保护门电路的输出端与第一锁存器单元的第一输入端、第二输入端相连，所述第一锁存器单元的第一输出端、第二输出端分别与第二锁存器单元的第一输入端、第二输入端相连，第二锁存器单元的时钟输入端与反相器的输出端相连接，第二锁存器单元的两个输出端分别作为所述寄存器的两个输出端口。

2.根据权利要求1所述的寄存器，其特征在于，所述延迟单元包括第一反相器、第二反相器和第一三输入与非门、第二三输入与非门，其中，第一反相器的输入端作为所述延迟单元的输入端，第一反相器的输出端连接第一三输入与非门的输入端，第一三输入与非门的输出端连接第二三输入与非门的输入端，第二三输入与非门的输出端接第二反相器的输入端，第二反相器的输出端即为所述延迟单元的输出端。

3.根据权利要求1所述的寄存器，其特征在于，所述保护门电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，具体连接方式为：第一PMOS管的源极接外部电源，栅极与第二NMOS管的栅极相连，作为所述保护门电路的第一输入端，漏极接第二PMOS管的源极；第二PMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极相连，作为所述保护门电路的第二输入端；第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，作为所述保护门电路的输出端；第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的源极接地。

4.根据权利要求1所述的寄存器，其特征在于，所述锁存器单元包括：十个NMOS管m3、m4、m5、m6、m9、m10、m11、m12、m13、m14，和四个PMOS管m1、m2、m7、m8，具体连接方式为：PMOS管m1的源极接外部电源，栅极接NMOS管m3的栅极，漏极作为所述锁存器单元的第一输出端；PMOS管m2的源极接外部电源，栅极接NMOS管m4的栅极，漏极作为所述锁存器单元的第二输出端；NMOS管m3的源极接NMOS管m5的漏极，栅极接PMOS管m7的漏极，漏极接PMOS管m1的漏极；NMOS管m4的源极接NMOS管m6的漏极，栅极接PMOS管m8的漏极，漏极接PMOS管m2的漏极；NMOS管m5的源极接地，栅极接NMOS管m4的栅极，漏极接NMOS管m3的源极；NMOS管m6的源极接地，栅极接NMOS管m3的栅极，漏极接NMOS管m4的源极；PMOS管m7的源极接外部电源，栅极接NMOS管m9的栅极，漏极接NMOS管m3的栅极；PMOS管m8的源极接外部电源，栅极接NMOS管m10的栅极，漏极接NMOS管m4的栅极；NMOS管m9的源极接NMOS管m11的漏极，栅极接NMOS管m12的栅极，漏极接PMOS管m7的漏极；NMOS管m10的源极接NMOS管m12的漏极，栅极接NMOS管m11的栅极，漏极接PMOS管m8的漏极；NMOS管m11的源极接地，栅极接PMOS管m1的漏极，漏极接NMOS管m9的源极；NMOS管m12的源极接地，栅极接PMOS管m2的漏极，漏极接NMOS管m10的源极，NMOS管m13的源极作为所述锁存器单元的第一输入端，栅极与NMOS管m14的栅极相连接作为所述锁存器单元的时钟输入端，漏极接PMOS管m7的漏极；NMOS管m14的源极接PMOS管m8的漏极，漏极作为所述锁存器单元的第二输入端。