[发明专利]一种直流电压校准方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能锂电池的改进技术。 

背景技术

随着电子行业的高速发展，为满足市场需求，解决电子产品对直流电压采样精度的更高要求及成本控制，对于直流电压的采样校准，行业通常采用自校准方式。自校准方式就是首先通过对外部直流电压基准源采样得到实测的直流电压采样值，芯片依据此实测直流电压采样值和基准直流电压源对比而计算出电路的误差系数，将此误差系数存放于芯片的数据存储区中，产品应用时依据存放于芯片数据存储区中的误差系数，对电路实测的直流电压采样值进行调节，得到比较准确的外部直流电压。这种直流电压自校准方式需要在芯片的数据存储区存储预先校准的误差系数，并且失电时必需能保持已存的误差系数，以便实际应用时可以随时调用此误差系数进行调节。众所周知，这种芯片除了需要具有存储芯片程序的存储区外还必须具有另外的数据存储区用于存储该误差系数，由于带数据存储区具有数据保持能力的芯片价格成本相对较高，制造出来的产品成本也会因此有所上升。这对于竞争越来越激烈的电子行业来说，带来一些新的成本压力因素，不利于产品的成本控制要求。 

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题是提供一种成本低、更易于实现的一种直流电压校准方法。 

由此，本发明所提出的技术方案如下： 

一种直流电压校准方法，包括采样校准电路电压误差系数获取存储步骤以及待校准直流电压的校准步骤，所述的采样校准电路电压误差系数获取存储步骤包括：

a.选取直流基准电压源连接于采样校准电路中，测量该校准电源外部的电压值；

b.对a步骤中获得的电压值和基准电压源电压值进行比较，获得电压误差系数；

c.将电压误差系数与控制程序写入芯片存储程序的存储区。

其中，所述的校准步骤包括： 

d.将待校准的外部直流电压源接入采样校准电路，芯片对该电压源进行采样，取得电压采样值；

e.将该电压采样值与预存于芯片中的电压误差系数累加，即得到外部直流电压源的准确电压值。

本发明是将直流电压校准误差系数直接写入芯片用于存储程序的存储区，并不需要利用芯片的数据存储区，这就为选择芯片提供了足够的自由度，比如可选用数据存储区不带数据保持能力的芯片实现直流电压的校准，更有利于实现对产品总体成本的控制要求，易于实现，并且该方法具有较高的准确性。 

具体实施方式

为便于本领域技术人员的理解，下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细描述。 

一种直流电压校准方法，包括采样校准电路电压误差系数获取存储步骤以及待校准直流电压的校准步骤，所述的采样校准电路电压误差系数获取存储步骤包括： 

a.选取直流基准电压源连接于采样校准电路中，测量该校准电源外部的电压值；

b.对a步骤中获得的电压值和基准电压源电压值进行比较，获得电压误差系数；

c.将电压误差系数与控制程序写入芯片存储程序的存储区。

其中，所述的校准步骤包括： 

d.将待校准的外部直流电压源接入采样校准电路，芯片对该电压源进行采样，取得电压采样值；

e.将该电压采样值与预存于芯片中的电压误差系数累加，即得到外部直流电压源的准确电压值。

这种直接写入参数的校准方法是将误差系数直接写入芯片存储程序的存储区，而不需要带数据保持能力的芯片存储预先校准的误差系数。使芯片的选择自由度增大，有利于产品成本方面的控制。 

以上为本发明的某些具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。