[发明专利]使用电荷扰动的概率的闪存中的数据管理有效

专利信息
申请号: 201110435900.5 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN102543212A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 郭定辉
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 使用 电荷 扰动 概率 闪存 中的 数据管理
【权利要求书】:

1.一种操作闪存系统的方法,包括:

记录先前在SSD系统上执行的所选电荷干扰操作的运行操作历史;以及

通过使用操作历史、每一个所选电荷干扰操作的干扰强度值和每一个所选电荷干扰操作的电荷增加-损失方向来计算存储单元的电荷净增加或损失的估计。

2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:使用包含关于存储单元经历的擦除-编程周期的历史的信息的存储单元的电荷净增加或损失的估计,来估计从存储单元读取出的数据错误的可能性。

3.如权利要求1所述的方法,进一步包括:当存储单元的电荷净增加或损失的估计超过预定阈值时,执行预防动作以防止数据损失。

4.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

将一组存储单元初始化为所选状态;

在周期性地读取该组存储单元的同时对于该组存储单元重复地执行所选电荷干扰操作,直到检测到该组存储单元的状态变化为止;

基于检测到该组存储单元的状态变化之前执行的所选电荷干扰操作的次数,确定所选电荷干扰操作的干扰强度值;以及

记录所选电荷干扰操作的相对干扰强度值和电荷增加-损失方向,其中电荷增加-损失方向指示该组存储单元的状态变化是电荷增加还是损失。

5.如权利要求4所述的方法,其中,执行所选电荷干扰操作进一步包括结合操作使用所选数据位模式。

6.如权利要求4所述的方法,进一步包括:对于多组电荷干扰操作中的每一个重复初始化、执行、确定和记录干扰强度值和电荷增加-损失方向步骤。

7.如权利要求6所述的方法,进一步包括以矩阵存储该组电荷干扰操作的干扰强度值和电荷增加-损失方向。

8.如权利要求1所述的方法,其中,计算存储单元的电荷净增加或损失的估计进一步包括:

计算操作历史中每一个电荷干扰操作的百分比;以及

计算电荷干扰操作的相对强度的加权总和。

9.如权利要求1所述的方法,其中,将每一个所选电荷干扰操作的干扰强度值以及每一个所选电荷干扰操作的电荷增加-损失方向提供到所述系统,作为通过测试样本装置而确定的预定数据。

10.一种闪存系统,包括:

一组闪存单元;

干扰强度矩阵,其包含每一个所选电荷干扰操作的干扰强度值和电荷增加-损失方向;

操作历史,其为所述系统执行的所选电荷干扰操作的运行记录;以及

数据管理单元,其连同操作历史一起使用干扰强度矩阵,以计算存储单元的电荷净增加或损失的估计。

11.如权利要求10所述的闪存系统,其中,干扰强度值指示在检测到存储单元的状态变化之前执行的所选电荷干扰操作的次数。

12.如权利要求10所述的闪存系统,其中,干扰强度矩阵由所述系统进行的自测试来确定。

13.如权利要求10所述的闪存系统,其中,数据管理单元包括用于使用存储单元的电荷净增加或损失的估计来估计从存储单元读取出的数据错误的可能性的部件。

14.如权利要求10所述的闪存系统,其中,数据管理单元包括用于当存储单元的电荷净增加或损失的估计超过预定阈值时执行预防动作以防止数据损失的部件。

15.如权利要求10所述的闪存系统,其中,数据管理单元包括用于计算操作历史中每一个电荷干扰操作的百分比并计算电荷干扰操作的相对强度的加权总和的部件。

16.如权利要求10所述的闪存系统,进一步包括用于估计一组存储单元的读电压阈值分布中存储单元的读电压阈值的位置的部件。

17.如权利要求16所述的闪存系统,其中,每一个存储单元的读电压阈值从连接到对应存储单元的测量单元得出,所述测量单元产生从读操作的存储单元的完成时间得出的、作为读操作中存储单元的阈值电压的量度的测量信号。

18.如权利要求16所述的闪存系统,进一步包括用于使用操作历史和干扰强度矩阵来向从存储单元读取出的数据分配错误条的部件。

19.如权利要求18所述的闪存系统,进一步包括用于使用错误条和一组存储单元的读电压阈值分布中存储单元的读电压阈值的位置来向从存储单元读取出的数据分配错误概率的部件。

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