[发明专利]一种应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法无效
| 申请号： | 201110435911.3 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103178166A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 周健华;邢志刚;陈耀;彭昀鹏;潘尧波;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 led 中的 gan 初始 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
1)在LED生长量子阱完成后向反应室通入Mg源，使所述Mg源与所述反应室中的NH3在第一温度下反应以减弱所述Mg源在所述反应室中的记忆效应；
2)在第二温度下生长P型GaN层的步骤；以及
3)在第三温度下生长P型GaN层的步骤。
2.根据权利要求1所述的应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法，其特征在于：所述Mg源的浓度流量为0.1～1.0umole/min。
3.根据权利要求1所述的应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法，其特征在于：所述第一温度的范围为700～1100℃。
4.根据权利要求1所述的应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述第二温度的范围为700～950℃。
5.根据权利要求1所述的应用于LED中的P型GaN初始层的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，所述第三温度的范围为850～1100℃。
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