[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)被广泛应用于平板显示器件，比如目前最为常见的液晶显示器(LCD)，以及有机发光显示器件(AMOLED)。

目前实际销售的基于TFT技术的平板显示产品中，使用的TFT器件基本上属于两类：非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶体管。对于后者，根据其制造工艺的不同，又可以分为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)和高温多晶硅薄膜晶体管(HTPS TFT)，分别适用于中小尺寸显示器件和微小尺寸显示器件(如投影图像源)等。

相对于非晶硅薄膜晶体管来说，低温多晶硅薄膜晶体管具有诸多优点，如其迁移率比非晶硅薄膜晶体管高两个数量级，可以较小尺寸的器件实现较强的驱动能力，提高显示器件开口率，也更适用于需要电流驱动的有源矩阵有机发光二极管显示面板；又如其阈值电压比较稳定，可满足有源矩阵有机发光二极管显示面板的稳定性要求，并成为驱动有源矩阵有机发光二极管显示面板的理想选择；再如，非晶硅薄膜晶体管只能形成N型器件，而低温多晶硅薄膜晶体管却可以形成P型与N型两种互补型薄膜晶体管，这使得利用低温多晶硅薄膜晶体管在玻璃基板上形成电路比较灵活，也成为事实上的做法，从而达到简化外围驱动电路的目的。总而言之，低温多晶硅薄膜晶体管因具有诸多优点，使其在高分辨率、电路集成、显示器件集成方面具有广泛应用。

相对于非晶硅薄膜晶体管来说，低温多晶硅薄膜晶体管的制作工艺比较复杂，一般而言，非晶硅薄膜晶体管采用4或5道掩模板光刻工艺，而低温多晶硅薄膜晶体管通常需要采用9道掩模板光刻工艺，其工艺复杂性的增加使得采用低温多晶硅薄膜晶体管驱动的显示器件的制作成本上升，其良品率下降，影响了低温多晶薄膜晶体管硅驱动的显示器件的竞争力。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种制作工艺简单且有利于提升良品率的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。

此外，还有必要提供一种制作工艺简单且有利于提升良品率的低温多经过薄膜晶体管阵列基板的制作方法。

一种薄膜晶体管阵列基板至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括电极，所述第一源极和第一漏极由多晶硅层掺杂第一类型的离子制成，所述第二源极和第二漏极由多晶硅层掺杂第二类型的离子制成，所述第一栅极和第二栅极由同一栅导电层在不同光刻工艺中制成，所述第二栅极与存储电容的电极在同一光刻工艺中一并制成；所述第一栅极与第一源极和第一漏极通过所述栅绝缘层绝缘开，所述第二栅极与第二源极和第二漏极通过所述栅绝缘层绝缘开；所述第一沟道区和第二沟道区均由未掺杂或轻掺杂的多晶硅层构成，所述第一沟道区位于所述第一源极和第一漏极之间、所述第一栅极之下，所述第二沟道区位于所述第二源极和第二漏极之间、所述第二栅极之下；所述低掺杂源漏区位于所述第二源极与所述第二沟道区之间以及所述第二漏极与第二沟道区之间。

本发明提供的所述薄膜晶体管阵列基板中，所述薄膜晶体管阵列基板至少还包括第二绝缘层、第一源极布线、第一漏极布线、第二源极布线、第二漏极布线、第三布线，且所述第一源极布线和第二漏极布线分别与所述第一源极和第一漏极电性连接，所述第二源极布线和第二漏极布线分别与所述第二源极和第二漏极电性连接，所述存储电容至少还包括多晶硅高掺杂区，该多晶硅高掺杂区由多晶硅掺杂或部分掺杂第一、第二类型离子中的一种制成，其与所述存储电容的电极通过所述栅绝缘层绝缘开，且所述第三布线与所述多晶硅高掺杂区电性连接，并所述第三布线与所述存储电容的电极通过所述第二绝缘层绝缘开，所述第一源极布线和第一漏极布线与第一栅极之间通过所述第二绝缘层绝缘开，所述第二源极布线和第二漏极布线与第二栅极之间通过所述第二绝缘层绝缘开。

本发明提供的所述薄膜晶体管阵列基板中，所述薄膜晶体管阵列基板至少还包括像素电极、第三绝缘层，所述像素电极与所述第一或第二漏极布线电性连接，且该像素电极通过所述第三绝缘层与所述第三布线绝缘开。