[发明专利]一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置无效
| 申请号： | 201110436248.9 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102534569A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 万军;饶志鹏;黄成强;陈波;李超波;夏洋;江莹冰;陶晓俊 | 申请（专利权）人： | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 赵芳;徐关寿 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常压 辉光 等离子体 增强 原子 沉积 装置 | ||
1. 一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，包括相对封闭的反应腔室，其特征在于：所述反应腔室包括主腔室，所述主腔室内设有前驱体源进气管道口、正对设置的等离子发生器上电极和等离子发生器下电极，所述等离子发生器下电极上放置有样品，所述等离子发生器下电极下方设有加热器，所述等离子发生器上电极和等离子发生器下电极之间形成气流通道，所述前驱体源进气管道口的出口正对气流通道，其进口与源进气加热管道连接，所述源进气加热管道与载气钢瓶连接，所述源进气加热管道上连接有前驱体源瓶；
所述等离子发生器上电极和等离子发生器下电极与射频电源连接，所述等离子发生器上电极上设有多个将等离子体放电气体引入的通气孔，所述通气孔均与等离子体放电气体瓶连接；
所述加热器、源进气加热管道上的加热系统和射频电源均连接到PLC上，所述PLC与计算机连接。
2. 根据权利要求1所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述主腔室上在气流通道的出口处设置排气风扇。
3. 根据权利要求1或2所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述前驱体源瓶与源进气加热管道的连接管路上设有ALD电磁阀和手动阀，所述ALD电磁阀与PLC连接。
4. 根据权利要求3所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述载气钢瓶与源进气加热管道的连接管路上、所述等离子体放电气体瓶与通气孔的连接管路上均设有质量流量计和气动阀，所述质量流量计和气动阀与PLC连接。
5. 根据权利要求4所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述等离子发生器上电极和等离子发生器下电极之间的间距可调，间距范围为1~5mm。
6. 根据权利要求5所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述通气孔均匀分布在等离子发生器上电极上。
7. 根据权利要求6所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述射频电源上配设有阻抗匹配系统。
8. 根据权利要求7所述的一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置，其特征在于：所述加热系统由加热元件、固态继电器和热电偶组成。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
