[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201110436358.5 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522370A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 夏建慧;顾以理;奚裴;张博;张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成介质层和第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成多个线型的第一硬掩模层图案；
在所述第一硬掩模层图案和所述第一缓冲层上形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上形成多个线型的第二硬掩模层图案；所述第二硬掩模层图案和所述第一硬掩模层图案未重叠的区域形成多个接触孔图案；
以所述第二硬掩模层图案和第一硬掩模层图案为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成第一缓冲层图案；
去除所述第二硬掩模层图案、第二缓冲层和第一硬掩模层图案；
以所述第一缓冲层图案为掩模，刻蚀所述介质层至露出半导体衬底，形成包括多个接触孔的介质层图案；
去除所述第一缓冲层图案。
2.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料与所述第二缓冲层的材料相同。
3.如权利要求2所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层与所述介质层的刻蚀选择比小于或等于2。
4.如权利要求3所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括：二氧化硅；所述第一缓冲层的材料包括：多晶硅或氮化硅。
5.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩模层图案的材料与所述第二硬掩模层图案的材料相同。
6.如权利要求5所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第一硬掩模层图案的刻蚀选择比大于或等于10。
7.如权利要求6所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料包括：多晶硅或氮化硅；所述第一硬掩模层图案的材料包括：二氧化硅。
8.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述介质层的厚度范围包括：至
9.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，第一硬掩模层图案的厚度范围包括：
10.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩模层图案采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。
11.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩模层图案采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。
12.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，去除所述第一缓冲层图案的步骤包括：在包括多个接触孔的介质层图案中填充保护层；刻蚀去除所述第一缓冲层图案；去除所述保护层。
13.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一硬掩模层图案为纵向排布的直线。
14.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩模层图案为横向排布的直线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
