[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110436569.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522415A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华;张克云;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，包括：
光电二极管；
适于将入射光汇聚至光电二极管所在位置处的第一微透镜；
位于光电二极管与微透镜之间的金属连接层，所述金属连接层暴露出所述光电二极管的至少部分；
其特征在于，所述CMOS图像传感器另包括位于第一微透镜与光电二极管之间的第二微透镜，所述第二微透镜位于所述金属连接层外的区域。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二微透镜为半球形微透镜，其平整面面对所述第一微透镜，球形面面对所述光电二极管。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二微透镜将入射光变化为平行光传递给所述光电二极管。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二微透镜位于所述光电二极管的正上方。
5.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成光电二极管；
在具有光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层内形成有金属连接层与第二微透镜，所述第二微透镜位于所述光电二极管上方，并暴露在所述金属连接层外；
在层间绝缘层上形成第一微透镜，所述第一微透镜位于所述金属连接层与第二微透镜上方。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二微透镜为半球形微透镜，其平整面面对所述第一微透镜，球形面面对所述光电二极管。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二微透镜将入射光变化为平行光传递给所述光电二极管。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二微透镜的方法，包括：
形成介质层和阻挡层；
在所述阻挡层的上方涂覆光刻胶，图案化所述光刻胶，使用所述被图案化的光刻胶作为掩模蚀刻所述阻挡层来形成阻挡层图形；
通过使用所述阻挡层图形作为掩模实施各向同性蚀刻来图案化所述介质层；
通过将具有折射率高于所述介质层的折射率的材料填入所述介质层中被图案化的部分来形成第二微透镜。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡层是氮化硅膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
