[发明专利]低辐射镀膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜系，其特征在于，所述膜系自玻璃基片向外依次包括：

第一电介质层、第二电介质层、第一功能层、第一阻挡层、中间电介质组合层、第三电介质层、第二功能层、第二阻挡层、顶层下电介质层、顶层上电介质层。

2.根据权利要求1所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一功能层为Cu层，所述第二功能层为Ag层。

3.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一电介质层为Si₃N₄、ZnSnO₃、TiO₂或者SiOxNy膜层中的一种。

4.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第二电介质层、第三电介质层为ZnO层。

5.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一阻挡层的为NiCr、AZO、Ti、Nb₂O₅或NiCrOx膜层中的一种。

6.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述中间电介质组合层为ZnSnO₃、Si₃N₄膜层中的一种或者由二者的组合层构成。

7.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第二阻挡层为NiCr、AZO、Ti、Nb₂O₅或NiCrOx膜层中的一种。

8.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层下电介质层为ZnSnO₃层。

9.根据权利要求1或2所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述顶层上电介质层为Si₃N₄层。

10.一种低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在所述玻璃基片上镀制Si₃N₄、ZnSnO₃、TiO₂或者SiOxNy膜层中的一种作为第一电介质层；

在所述第一电介质层上镀制作为第二电介质层的ZnO层；

在所述第二电介质层上镀制作为第一功能层的Cu层；

在所述第一功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb₂O₅或NiCrOx膜层中的一种作为第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上镀制ZnSnO₃、Si₃N₄膜层中的一种或者二者的组合层层作为中间电介质组合层；

在所述中间电介质组合层上镀制作为第三电介质层的ZnO层；

在所述第三电介质层上镀制第二功能层的Ag层；

在所述第二功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb₂O₅或NiCrOx膜层中的一种作为第二阻挡层；

在所述第二阻挡层上镀制作为顶层下电介质层的ZnSnO₃层；

在所述顶层下电介质层上镀制作为顶层上电介质层的Si₃N₄层；

上述玻璃结构中，Si₃N₄层使用质量百分比为92:8的硅铝靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮氛围中溅射沉积，功率为20-80kw，电源频率为20-40kHz；

SiOxNy层使用质量百分比为92:8的硅铝靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮、氧氛围中溅射沉积，功率为20-80kw，电源频率为20-40kHz；

AZO层使用陶瓷锌铝靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积，功率为5-15kw，电源频率为20-40kHz；

ZnSnO3层使用质量百分比为50:50的锌锡合金靶，采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积，功率为10-70kw，电源频率为20-40kHz；

NiCrOx层使用镍铬合金靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，功率为2-10kw；

功能层Ag层为使用银靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，功率为2-10kw；

功能层Cu层为使用铜靶，采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积，功率为2-10kw。