[发明专利]一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201110436883.7 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103177800A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 毛启明;姜来新;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;C23C14/35 |
代理公司: | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人: | 唐莉莎 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透过 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。
2.根据权利要求1所述一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜中,锡与锌元素在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为78%~82%。
3.根据权利要求1所述一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜的厚度为20nm~100nm。
4.根据权利要求1,或2,或3所述一种高透过率透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)将洁净的基底材料放入真空环境中,并抽真空至环境压强不低于4×10-4Pa;
(2)以氩气和氧气作为溅射气体,控制溅射时压强为0.2~0.8Pa;
(3)使用射频溅射的方法,在基底材料的正面和反面同时沉积一层二氧化硅,厚度为2~10nm;
(4)在二氧化硅层的表面采用直流溅射的方法溅射金属锡与锌,溅射功率为直流80~200W,金属锡/的溅射速率为0.15~0.8nm/s,锌的溅射速率为0.05~0.2nm/s,沉积完毕,得到二氧化锡/氧化锌复合层;
或者采用以二氧化锡与氧化锌的均匀混合材料烧结而成的块体作为靶材,溅射功率为直流80~200W,溅射速率为0.6~1.2nm/s。
5.根据权利要求4所述一种高透过率透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述的溅射沉积二氧化锡/氧化锌复合层完毕后,在二氧化锡/氧化锌复合层表面再溅射一层二氧化硅,厚度为5~15nm。
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