[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且不与所述栅电极层重叠的区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅绝缘层、所述源电极层和所述漏电极层上的半导体层，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

2.一种半导体装置，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且不与所述栅电极层重叠的区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅绝缘层上的半导体层，其中间夹着具有水解基的有机硅烷膜，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

3.一种半导体装置，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且在所述栅电极层的位置外的两个第一区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅绝缘层上并且在所述两个第一区域之间的第二区域中的半导体层，

其中，所述第二区域的表面能量小于所述两个第一区域的表面能量，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

4.一种半导体装置，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且在所述栅电极层的位置外的两个第一区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅绝缘层上并且在所述两个第一区域之间的第二区域中的半导体层，其中间夹着具有水解基的有机硅烷膜，

其中，所述第二区域的表面能量小于所述两个第一区域的表面能量，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，还包括电连接到所述源电极层或所述漏电极层的显示元件。

6.如权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体层包括锌或锡。

7.如权利要求2或4所述的半导体装置，其中，所述具有水解基的有机硅烷膜是十八烷基三甲氧基硅烷膜。

8.一种电子纸，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且不与所述栅电极层重叠的区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；

在所述栅绝缘层、所述源电极层和所述漏电极层上的半导体层；

在所述半导体层上的第一电极，所述第一电极电连接到所述源电极层或所述漏电极层；

在所述第一电极上的第二电极；以及

在所述第一电极与第二电极之间的扭转球，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

9.一种电子纸，包括：

在透光衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上并且不与所述栅电极层重叠的区域中的有机聚合层；

在所述有机聚合层上的一对源电极层及漏电极层；

在所述栅绝缘层上的半导体层，其中间夹着具有水解基的有机硅烷膜；

在所述半导体层上的第一电极，所述第一电极电连接到所述源电极层或所述漏电极层；

在所述第一电极上的第二电极；以及

在所述第一电极与第二电极之间的扭转球，

其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。

10.如权利要求8或9所述的电子纸，其中，所述半导体层包括锌或锡。

11.如权利要求9所述的电子纸，其中，所述具有水解基的有机硅烷膜是十八烷基三甲氧基硅烷膜。