[发明专利]一种大功率白光LED封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种大功率白光LED封装结构，包括自下而上设置的LED大功率支架、反射碗杯、蓝光LED芯片、荧光胶、透明硅胶和透镜；其特征在于，所述的反射碗杯设置在LED大功率支架上，所述的蓝光LED芯片通过导电银胶或高导热绝缘胶设置在反射碗杯内；所述的蓝光LED芯片通过金线与LED大功率支架电连接；在蓝光LED芯片上由内而外涂覆有内层荧光胶和外层荧光胶，内层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸小于外层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸；所述内层荧光胶的涂覆范围是整个蓝光LED芯片及露出的反射碗杯底面，所述反射碗杯底面上内层荧光胶的厚度小于蓝光LED芯片的厚度；所述外层荧光胶完全包覆蓝光LED芯片的上表面及侧壁，呈凸包状，所述凸包状的外层荧光胶的底面半径小于内层荧光胶底面的半径；所述LED大功率支架的上方设置有透镜，透镜内填充有透明硅胶。

2.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述内层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶7～1∶5的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：7～13μm；优选的，所述内层荧光胶，其荧光粉颗粒与透明硅胶的质量比为1∶6。

3.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述外层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：20～23μm。

4.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述透明硅胶的折射率均为1.5。

5.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度，所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。

6.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil；所述的透镜为PC透镜。

7.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构的制备方法，其特征在于，方法步骤如下：

1)固晶、焊线：采用导电银胶或高导热绝缘胶将蓝光LED芯片固定在反射碗杯内，并经150℃～180℃固化烘烤60～90min，然后再用金线将蓝光LED芯片焊接在LED大功率支架上；

2)配制内层荧光胶：粒径为7～13μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶5～1∶7的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成内层荧光胶；

3)将步骤2)制得的内层荧光胶采用旋转涂覆方式涂覆在蓝光LED芯片上，经150℃固化烘烤10～15min；

4)配制外层荧光胶：粒径为20～23μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成外层荧光胶；

5)将步骤4)制得的外层荧光胶采用自动点胶方式喷点在步骤3)固化烘烤后的内层荧光胶上表面、且与蓝光LED芯片相对，立即经140-160℃烘烤3-7min，再转入110-130℃烘烤20-40min，形成包络蓝光LED芯片的凸包状，即制得半成品白光LED；

6)对步骤5)制得的半成品白光LED，盖上透镜，在透镜内填满透明硅胶，经90-110℃烘烤1-1.5h固化，制得大功率型白光LED。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤2)配制内层荧光胶时：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶6的比例混合搅拌均匀。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil，所述的透明硅胶的折射率均为1.5；所述的透镜为PC透镜。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，经步骤3)固化烘烤后所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度；步骤5)所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。